[發明專利]包含多重凹入外形的晶體管

有效

• 申請號: 201280004522.8
• 申請日: 2012-01-04
• 公開（公告）號: CN103314445A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 李·威廉·塔特;雪比·佛瑞斯特·尼爾森
• 申請（專利權）人: 柯達公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 齊楊

1.一種晶體管，其包括：

襯底；

位于所述襯底上的第一導電材料層；和

與所述第一導電材料層接觸并位于其上的第二導電材料層，所述第二導電材料層包含凹入外形，所述第二導電材料層突出于所述第一導電材料層上。

2.根據權利要求1所述的晶體管，其進一步包括：

保形地位于所述第二導電材料層、所述第一導電材料層和所述襯底的至少一部分上的電絕緣材料層。

3.根據權利要求2所述的晶體管，其進一步包括：

保形于所述電絕緣材料層并與其接觸的半導體材料層。

4.根據權利要求3所述的晶體管，其進一步包括：

非保形地位于所述半導體材料層上并與其接觸的第三導電材料層。

5.根據權利要求4所述的晶體管，其進一步包括：

非保形地位于所述半導體材料層上并與其接觸的第四導電材料層。

6.根據權利要求5所述的晶體管，其中所述第三導電材料層和所述第四導電材料層是相同材料層的不同非連續部分。

7.根據權利要求1所述的晶體管，其中所述襯底是柔性的。

8.一種致動半導體裝置的方法，其包括：

提供晶體管，其包含：

襯底；

位于所述襯底上的第一導電材料層；和

與所述第一導電材料層接觸并位于其上的第二導電材料層，所述第二導電材料層包含凹入外形，所述第二導電材料層突出于所述第一導電材料層上；

保形地位于所述第二導電材料層、所述第一導電材料層和所述襯底的至少一部分上的電絕緣材料層；

保形于所述電絕緣材料層并與其接觸的半導體材料層；

非保形地位于所述半導體材料層的第一部分上并與其接觸的第三導電材料層；

非保形地位于所述半導體材料層的第二部分上并與其接觸的第四導電材料層；

在所述第三導電材料層與所述第四導電材料層之間施加電壓；以及

對所述第一導電材料層施加電壓，以使所述第三導電材料層與所述第四導電材料層電連接。

9.根據權利要求8所述的方法，所述第三導電材料層和所述第四導電材料層是相同材料層的不同部分，其中在所述第三導電材料層與所述第四導電材料層之間施加電壓包含施加電壓到所述相同材料層的不同非連續部分。

10.一種制造晶體管的方法，其包括：

提供依序包含第一導電材料層和第二導電材料層的襯底；

在所述第二導電材料層上沉積抗蝕劑材料層；

使所述抗蝕劑材料層圖案化，以暴露所述第二導電材料層的一部分；

移除所述第二導電材料層的一些，以在所述第二導電材料層中產生凹入外形并暴露所述第一導電材料層的一部分；以及

通過移除所述第一導電材料層的一些，使所述第二導電材料層突出于所述第一導電材料層上。

11.根據權利要求10所述的方法，其進一步包括：

用電絕緣材料層保形涂布所述第二導電材料層、所述第一導電材料層和所述襯底的至少一部分。

12.根據權利要求11所述的方法，其進一步包括：

用半導體材料層保形涂布所述電絕緣材料層。

13.根據權利要求12所述的方法，其進一步包括：

在所述半導體材料層的部分上定向沉積第三導電材料層。

14.根據權利要求10所述的方法，其中在所述第二導電材料層上沉積所述抗蝕劑材料層與使所述抗蝕劑材料層圖案化發生在同一工藝步驟中。

15.根據權利要求10所述的方法，其中移除所述第二導電材料層的一些以在所述第二導電材料層中產生凹入外形并暴露所述第一導電材料層的一部分包含使用等離子體蝕刻劑。

16.根據權利要求10所述的方法，其中通過移除所述第一導電材料層的一些使所述第二導電材料層突出于所述第一導電材料層上包含使用液體蝕刻劑。

17.根據權利要求10所述的方法，所述襯底包含第一層和第二層，所述方法進一步包括：

移除所述襯底的所述第二層。