[發(fā)明專(zhuān)利]電阻變化型非易失性存儲(chǔ)裝置及其寫(xiě)入方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201280003856.3
• 申請(qǐng)日: 2012-11-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103229244A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-07-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 川原昭文;東亮太郎;島川一彥;田邊浩平
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): G11C13/00
• 分類(lèi)號(hào): G11C13/00
• 代理公司: 永新專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 胡建新

1.一種電阻變化型非易失性存儲(chǔ)裝置，其特征在于，具有：

多個(gè)位線；

與所述多個(gè)位線交叉的多個(gè)字線；

多個(gè)存儲(chǔ)單元，被配置在所述多個(gè)位線和所述多個(gè)字線的交點(diǎn)，至少包含電阻變化元件而構(gòu)成，且在第一電阻狀態(tài)以及第二電阻狀態(tài)的至少兩個(gè)電阻狀態(tài)可逆地變化；

第一寫(xiě)入電路，在將所述多個(gè)存儲(chǔ)單元中與作為所述多個(gè)位線中的至少一個(gè)位線的第一位線連接的存儲(chǔ)單元的集合作為第一存儲(chǔ)單元陣列單位時(shí)，對(duì)所述第一位線施加寫(xiě)入電壓；

第二寫(xiě)入電路，在將所述多個(gè)存儲(chǔ)單元中與作為所述多個(gè)位線中的所述第一位線不同的至少一個(gè)位線的第二位線連接的存儲(chǔ)單元的集合作為第二存儲(chǔ)單元陣列單位時(shí)，對(duì)所述第二位線施加寫(xiě)入電壓；

第一選擇電路，將所述第一寫(xiě)入電路和所述第一位線中的至少一個(gè)設(shè)為連接或非連接；

第二選擇電路，將所述第二寫(xiě)入電路和所述第二位線中的至少一個(gè)設(shè)為連接或非連接；以及

第一字線驅(qū)動(dòng)電路，對(duì)所述多個(gè)字線選擇地驅(qū)動(dòng)，

在所述多個(gè)存儲(chǔ)單元中，包含以數(shù)據(jù)存儲(chǔ)為目的的存儲(chǔ)單元和不以數(shù)據(jù)存儲(chǔ)為目的的存儲(chǔ)單元，

所述第一寫(xiě)入電路以及第二寫(xiě)入電路，分別對(duì)所述第一位線以及第二位線同時(shí)施加寫(xiě)入電壓，

在通過(guò)所述第一寫(xiě)入電路以及第二寫(xiě)入電路同時(shí)執(zhí)行寫(xiě)入的多個(gè)存儲(chǔ)單元的寫(xiě)入單位中，在相同的字線上包含以所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)作為目的存儲(chǔ)單元和不以所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)作為目的存儲(chǔ)單元，

相對(duì)于所述第一字線驅(qū)動(dòng)電路，所述第一存儲(chǔ)單元陣列單位比所述第二存儲(chǔ)單元陣列單位較近地配置，

在所述第一選擇電路連接所述第一寫(xiě)入電路和所述第一位線時(shí)的作為所述第一選擇電路的電阻值的第一導(dǎo)通電阻值，比在所述第二選擇電路連接所述第二寫(xiě)入電路和所述第二位線時(shí)的作為所述第二選擇電路的電阻值的第二導(dǎo)通電阻值大。

2.如權(quán)利要求1所述的電阻變化型非易失性存儲(chǔ)裝置，其特征在于，

所述第一電阻狀態(tài)的所述存儲(chǔ)單元的電阻值，比所述第二電阻狀態(tài)的所述存儲(chǔ)單元的電阻值小，

在所述第一存儲(chǔ)單元陣列單位內(nèi)的第一存儲(chǔ)單元從所述第二電阻狀態(tài)變遷到所述第一電阻狀態(tài)時(shí)，將流入所述第一存儲(chǔ)單元的最大電流設(shè)定為第一低電阻化電流值，在所述第二存儲(chǔ)單元陣列單位內(nèi)的第二存儲(chǔ)單元從所述第二電阻狀態(tài)變遷到所述第一電阻狀態(tài)時(shí)，在將流向所述第二存儲(chǔ)單元的最大的電流設(shè)定為第二低電阻化電流值時(shí)，所述第一導(dǎo)通電阻值被設(shè)定為比所述第二導(dǎo)通電阻值大，以使所述第一低電阻化電流值與所述第二低電阻化電流值大體相等。

3.如權(quán)利要求2所述的電阻變化型非易失性存儲(chǔ)裝置，其特征在于，

所述第一選擇電路以及第二選擇電路由NMOS晶體管或PMOS晶體管構(gòu)成，

第一電流方向和第二電流方向反向，其中，所述第一電流方向是在所述存儲(chǔ)單元從所述第二電阻狀態(tài)變遷到所述第一電阻狀態(tài)時(shí)，流向所述第一選擇電路以及第二選擇電路的電流的方向；所述第二電流方向是在所述存儲(chǔ)單元從所述第一電阻狀態(tài)變遷到所述第二電阻狀態(tài)時(shí)流向所述第一選擇電路以及第二選擇電路的電流的方向，

所述第一選擇電路以及第二選擇電路以與所述第二電流方向相比在所述第一電流方向上基板偏壓效應(yīng)變大這樣的位置關(guān)系與所述存儲(chǔ)單元連接。

4.如權(quán)利要求1～3的任一項(xiàng)所述的電阻變化型非易失性存儲(chǔ)裝置，其特征在于，

構(gòu)成所述第一選擇電路的晶體管的溝道寬度比構(gòu)成所述第二選擇電路的晶體管的溝道寬度小。