[發明專利]激光處理裝置和激光處理方法有效
| 申請號: | 201280003296.1 | 申請日: | 2012-06-04 |
| 公開(公告)號: | CN103155106A | 公開(公告)日: | 2013-06-12 |
| 發明(設計)人: | 小林直之;山口芳廣;清野俊明;工藤利雄 | 申請(專利權)人: | 株式會社日本制鋼所 |
| 主分類號: | H01L21/268 | 分類號: | H01L21/268;B23K26/00;B23K26/06;B23K26/073;B23K26/08;H01L21/20;H01L21/265 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 張鑫 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 激光 處理 裝置 方法 | ||
1.一種激光處理裝置,其特征在于,包括:
輸出可見激光的可見激光光源;
輸出近紅外激光的近紅外激光光源;以及
將所述可見激光和所述近紅外激光進行合波,并傳導至被處理體的合波光學系統。
2.如權利要求1所述的激光處理裝置,其特征在于,包括:
傳導所述可見光激光的可見光光學系統;以及
傳導所述近紅外激光的近紅外光光學系統,
所述合波光學系統將由所述可見光光學系統傳導的所述可見激光、和由所述近紅外光光學系統傳導的所述近紅外激光進行合波,并傳導至所述被處理體。
3.如權利要求1或2所述的激光處理裝置,其特征在于,
由所述合波光學系統傳導的所述可見激光為脈沖波,由所述合波光學系統傳導的近紅外激光為連續波。
4.如權利要求1至3中任一項所述的激光處理裝置,其特征在于,
所述合波光學系統包括掃描部,該掃描部連續地或間歇地改變所述可見激光和所述近紅外激光相對于所述被處理體的照射方向,并在所述被處理體上移動所述可見激光和所述近紅外激光的照射位置。
5.如權利要求4所述的激光處理裝置,其特征在于,
所述掃描部具有電流計鏡和fθ透鏡。
6.如權利要求1至5中任一項所述的激光處理裝置,其特征在于,
包括保持部移動裝置,該保持部移動裝置在照射所述可見激光和所述近紅外激光時,使保持所述被處理體的保持部移動。
7.如權利要求1至6中任一項所述的激光處理裝置,其特征在于,
所述合波光學系統包括合波部,該合波部將所述可見光激光和所述近紅外激光進行合波。
8.如權利要求7所述的激光處理裝置,其特征在于,
所述合波部由分色鏡構成,該分色鏡透射所述可見激光和所述近紅外激光中的一者,使另一者在與所述透射的方向相同的方向上反射,并對二者進行合波。
9.如權利要求1至8中任一項所述的激光處理裝置,其特征在于,
包括:檢查光取出部,該檢查光取出部將由所述合波光學系統傳導的所述可見激光和所述近紅外激光的一部分作為檢查光,而從所述合波光學系統取出;以及檢查光檢測部,該檢查光檢測部利用所述檢查光,對設想要照射到所述被處理體的所述可見激光和所述近紅外激光的照射位置進行檢測。
10.如權利要求9所述的激光處理裝置,其特征在于,包括:
傳導所述可見光激光的可見光光學系統;傳導所述近紅外激光的近紅外光光學系統;分別調整所述可見光光學系統和所述近紅外光光學系統的位置或/和波導方向的調整機構;以及控制所述調整機構的照射位置控制部,
所述照射位置控制部獲得所述檢查光檢測部的檢測結果,執行調整所述調整機構的控制,以使所述被處理體上的所述可見激光和所述近紅外激光的照射位置成為規定的位置。
11.如權利要求1至10中任一項所述的激光處理裝置,其特征在于,包括:
輻射光檢測部,該輻射光檢測部對所述可見激光和所述近紅外激光照射的所述被處理體上的照射面所產生的輻射光的強度進行檢測;
溫度控制部,該溫度控制部獲取所述輻射光檢測部的檢測結果,根據輻射光強度和照射面溫度之間的相關關系,來調整所述合波前的所述可見激光和所述近紅外激光的能量密度,以使所述照射面具有規定的溫度;
輸出調整部,該輸出調整部分別調整所述可見激光光源和近紅外激光光源的輸出;以及
衰減器,該衰減器分別調整所述可見光光學系統的可見激光的透射率和近紅外光光學系統的近紅外激光的透射率,
所述溫度控制部控制所述輸出調整部和衰減器中的一者或二者,來調整照射面上的所述能量密度。
12.如權利要求1至11中任一項所述的激光處理裝置,其特征在于,
由所述合波光學系統傳導的所述可見激光為脈沖波,由所述合波光學系統傳導的近紅外激光為連續波,
包括:反射光檢測部,該反射光檢測部對所述可見激光和所述近紅外激光照射的所述被處理體上的照射面所反射的所述近紅外激光進行接收;以及
照射面測量部,該照射面測量部獲得所述反射光檢測部的檢測結果,來測量所述被處理體照射面的狀態。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





