[發明專利]正電子放射斷層攝影系統、重構裝置及距離比決定方法有效
| 申請號: | 201280001742.5 | 申請日: | 2012-09-10 |
| 公開(公告)號: | CN103108591A | 公開(公告)日: | 2013-05-15 |
| 發明(設計)人: | 葉宏偉;王文莉 | 申請(專利權)人: | 株式會社東芝;東芝醫療系統株式會社 |
| 主分類號: | A61B6/03 | 分類號: | A61B6/03 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 楊謙;胡建新 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 正電子 放射 斷層 攝影 系統 裝置 距離 決定 方法 | ||
1.一種正電子放射斷層攝影系統,決定距離比,該距離比用于計算在正電子放射斷層攝影系統的重構空間內由2個結晶規定的符合計數管與體素之間的幾何概率,該正電子放射斷層攝影系統具備:
決定部,在所述正電子放射斷層攝影系統的X-Y平面內,決定將所述2個結晶各自的左端點連結的第一邊緣線、將所述2個結晶各自的右端點連結的第二邊緣線、及與所述符合計數管有關的基準線;
投影部,在所述X-Y平面內,將所述體素的第一面的第一中心點投影到所述基準線上來規定第一投影點,將所述體素的第二面的第二中心點投影到所述基準線上來規定第二投影點;
計算部,計算包含所述第一邊緣線在內的直線與所述基準線之間的交點及包含所述第二邊緣線在內的直線與所述基準線之間的交點中的某一方的交點與所述第一投影點之間的第一距離、以及所述一方的交點與所述第二投影點之間的第二距離;以及
距離比決定部,基于所述第一距離及所述第二距離,決定所述X-Y平面內的第一距離比。
2.如權利要求1所述的正電子放射斷層攝影系統,
所述決定部規定位于所述2個結晶各自的左端點的中間的第一中間點和位于所述2個結晶各自的右端點的中間的第二中間點,將通過所述第一中間點及所述第二中間點的中間線決定為所述基準線,
所述計算部,計算所述第一中間點及所述第二中間點中的某一方的中間點與所述第一投影點之間的距離,作為所述第一距離,并且計算所述一方的中間點與所述第二投影點之間的距離,作為所述第二距離。
3.如權利要求1或2所述的正電子放射斷層攝影系統,
所述投影部在所述X-Y平面內,將所述第一中心點沿著所述第一邊緣線的方向投影到所述基準線上來規定所述第一投影點,將所述第二中心點沿著所述第二邊緣線的方向投影到所述基準線上來規定所述第二投影點。
4.如權利要求1或2所述的正電子放射斷層攝影系統,
所述決定部還決定用于規定符合計數線的所述2個結晶各自的中心。
5.如權利要求1或2所述的正電子放射斷層攝影系統,
所述決定部還基于所述X-Y平面中的所述符合計數線與正X軸之間的角度,決定所述體素的所述第一面的所述第一中心點及所述體素的所述第二面的所述第二中心點。
6.如權利要求1或2所述的正電子放射斷層攝影系統,
所述決定部還決定在所述正電子放射斷層攝影系統的Y-Z平面內或X-Z平面內將所述2個結晶各自的前端點連結的第三邊緣線、在所述Y-Z平面內或所述X-Z平面內將所述2個結晶各自的后端點連結的第四邊緣線、以及在所述Y-Z平面內或所述X-Z平面內與Z軸平行并且通過位于所述第三邊緣線上的第一z線點及位于所述第四邊緣線上的第二z線點的z線,
所述投影部還在所述Y-Z平面內或所述X-Z平面內將所述體素的第三面的第三中心點沿著所述第三邊緣線的方向投影到所述z線上來規定第三投影點,還將所述體素的第四面的第四中心點沿著所述第四邊緣線的方向投影到所述z線上來規定第四投影點,
所述計算部還計算所述第一z線點及所述第二z線點中的某一方的z線點與所述第三投影點之間的第三距離、以及所述一方的z線點與所述第四投影點之間的第四距離,
所述距離比決定部基于所述第三距離及所述第四距離,在所述Y-Z平面內或X-Z平面內決定第二距離比。
7.如權利要求1或2所述的正電子放射斷層攝影系統,
還具備交叉體積計算部,所述交叉體積計算部通過將所述第一距離比和所述第二距離比相乘,計算交叉體積。
8.如權利要求1或2所述的正電子放射斷層攝影系統,
所述體素的所述第三面及所述體素的所述第四面位于所述體素的相對側。
9.如權利要求1或2所述的正電子放射斷層攝影系統,
所述體素的所述第一面及所述體素的所述第二面位于所述體素的相對側。
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