[實用新型]一種PCB主板

有效

• 申請號: 201220749725.7
• 申請日: 2012-12-31
• 公開（公告）號: CN203054679U
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發明（設計）人: 林志洪;龔澤;王國華;黃金生;王勇
• 申請（專利權）人: 福建星網視易信息系統有限公司
• 主分類號: G06F1/16
• 分類號: G06F1/16
• 代理公司: 福州市鼓樓區博深專利代理事務所(普通合伙) 35214
• 代理人: 林志崢

技術領域

本實用新型涉及內存裝置，尤其涉及一種降低因內存拓撲變更產生的風險的PCB主板。

背景技術

隨著嵌入式系統的發展，DDR3內存顆粒的使用越來越多，DDR3內存顆粒由于制程技術的提升，使用DDR3內存顆粒成本低、速度快和功耗低，這些優點使得DDR3內存顆粒在嵌入式系統中得到越來越多的應用。DDR3內存顆粒的拓撲方式主要有兩種，一種是T型拓撲，一種是Fly-by拓撲。

T型拓撲結構的內存顆粒離主CPU芯片距離非常短，因此信號質量很好，因此很多主CPU廠家推薦客戶使用的內存拓撲為T型拓撲結構。對于裝有類型為i.MX6Q/i.MX6D的CPU的PCB主板，其內存裝置現有技術使用的是T型拓撲結構。但是T型拓撲對此種PCB主板生產型廠家來說，不止PCB走線水平要提升，生產工藝也要提升,后續維修的成本也要提升。因此這種拓撲并不是很適合小廠家的制作。

實用新型內容

本實用新型主要解決的技術問題是提供一種便于生產加工的使用i.MX6Q/i.MX6D類型的CPU的PCB主板。

為解決上述技術問題，本實用新型采用的一個技術方案是：提供一種PCB主板，包括：CPU及與CPU電連接的內存裝置，所述CPU的類型為i.MX6Q/i.MX6D，所述內存裝置的拓撲結構為Fly-by拓撲結構。

其中，所述內存裝置包括：

PCB底板，其上設有通孔；

多個內存芯片，包括一首內存芯片、多個中間內存芯片及一尾內存芯片，所述內存芯片設于所述PCB底板的正面；

與所述內存芯片一一對應的內存電源，設有去耦電容，所述內存芯片與所述去耦電容連接，所述去耦電容設置于所述PCB底板的背面且通過所述通孔與內存芯片電連接；

第一控制/地址線，其一端連接至所述首內存芯片，另一端接收來自相應信號線的控制信號；

第二控制/地址線，將所述首內存芯片與一中間內存芯片相連、將另一中間內存芯片與尾內存芯片相連并將相鄰的中間內存芯片相連，且連接所述這些內存芯片的第二指令/地址線長度等長；

匹配電阻，與所述尾內存芯片電連接；

以及，VTT終端器，其與所述匹配電阻電連接。

其中，所述內存裝置還包括與CPU電連接的內存控制器，連接于所述第一控制/地址線的另一端。

其中，所述內存芯片為第三代雙通道同步動態隨機存儲器。

其中，所述內存裝置的差分時鐘線的匹配阻抗電路包括：第一電阻，其阻值為50歐姆，一端連接于正差分時鐘線；第二電阻，其阻值為50歐姆，一端連接所述第一電阻的另一端，另一端連接負差分時鐘線；以及一104電容，其一端連接于所述第一電阻、第二電阻的公共節點處，另一端連接至外接電源。

本實用新型的有益效果是：使用本技術方案提供的PCB主板，能夠將使用i.MX6Q/i.MX6D類型CPU的不便加工的T型拓撲的主板換為便于加工的Fly-by拓撲，通過本技術方案提供的內存裝置拓撲結構，使PCB走線難度降低，走線空間變大，難度降低，且后續維修維護成本低，解決了現在技術中提到的諸多不足。

附圖說明

圖1是本實用新型一實施方式中內存裝置的架構示意圖；

圖2是本實用新型另一實施方式中內存裝置的結構示意圖。

標號說明：

100-內存裝置；101-內存控制器；

102-內存芯片，1021-首內存芯片，1022-中間內存芯片，1023-尾內存芯片；

103-第一控制/地址線；105-第二控制/地址線；

106-VTT終端器。

具體實施方式

為詳細說明本實用新型的技術內容、構造特征、所實現目的及效果，以下結合實施方式并配合附圖詳予說明。

本實用新型具體提供一種PCB主板，包括：CPU及與CPU電連接的內存裝置100，所述CPU的類型為i.MX6Q/i.MX6D，所述內存裝置的拓撲結構為Fly-by拓撲結構。

請參閱圖1及圖2，本實施方式提供一種內存裝置，包括：內存控制器101、多個內存芯片102、內存電源、第一控制/地址線103、第二控制/地址線105、VTT終端器106及與所述VTT終端器106相連接的匹配電阻。所述內存裝置還包括PCB底板，其上設置有上述多個內存芯片102、內存電源、第一控制/地址線103、第二控制/地址線105、VTT終端器106及與所述VTT終端器106相連接的匹配電阻。所述PCB底板包括正面、背面，其上設有通孔。