[實用新型]加熱裝置及化學(xué)氣相沉積設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220748875.6
• 申請日: 2012-12-29
• 公開（公告）號: CN203007406U
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 喬徽
• 申請（專利權(quán)）人: 光達光電設(shè)備科技（嘉興）有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/458
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種加熱裝置，包括托盤和位于所述托盤下方的加熱器，所述托盤和加熱器之間具有間隙，所述加熱器包括多個加熱區(qū)域，所述多個加熱區(qū)域分別正對所述托盤的不同區(qū)域；其特征在于，還包括多個氣體填充單元；所述多個氣體填充單元分別向所述加熱器的各個加熱區(qū)域與托盤之間的間隙中提供的緩沖氣體的熱傳導(dǎo)系數(shù)不同；其中，所述多個加熱區(qū)域?qū)λ鐾斜P進行獨立加熱。

2.如權(quán)利要求1所述的加熱裝置，其特征在于，所述每個氣體填充單元包括多個穿過所加熱器的吹氣管，所述多個吹氣管均勻分布在所述加熱器的對應(yīng)加熱器區(qū)域中。

3.如權(quán)利要求1所述的加熱裝置，其特征在于，所述加熱器為電阻加熱器。

4.如權(quán)利要求1所述的加熱裝置，其特征在于，所述緩沖氣體至少包括第一緩沖氣體和第二緩沖氣體，所述第一緩沖氣體的熱傳導(dǎo)系數(shù)小于第二緩沖氣體的熱傳導(dǎo)系數(shù)，所述多個氣體填充單元向所述間隙分別提供的緩沖氣體中的第一緩沖氣體和第二緩沖氣體的體積比不相同。

5.如權(quán)利要求4所述的加熱裝置，其特征在于，所述多個加熱區(qū)域分別為內(nèi)區(qū)、圍繞所述內(nèi)區(qū)的中區(qū)和圍繞所述中區(qū)的外區(qū)。

6.如權(quán)利要求5所述的加熱裝置，其特征在于，對應(yīng)所述外區(qū)的間隙中第二緩沖氣體與第一緩沖氣體的體積比大于對應(yīng)所述中區(qū)的間隙中第二緩沖氣體與第一緩沖氣體的體積比，對應(yīng)所述中區(qū)的間隙中第二緩沖氣體與第一緩沖氣體的體積比大于對應(yīng)所述內(nèi)區(qū)的間隙中第二緩沖氣體與第一緩沖氣體的體積比。

7.如權(quán)利要求4至6中任一項所述的加熱裝置，其特征在于，所述第一緩沖氣體為氮氣，所述第二緩沖氣體為氫氣。

8.如權(quán)利要求4至6中任一項所述的加熱裝置，其特征在于，所述第一緩沖氣體為氮氣，所述第二緩沖氣體為氦氣或氬氣。

9.如權(quán)利要求1所述的加熱裝置，其特征在于，所述間隙小于等于10mm。

10.一種化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，包含如權(quán)利要求1~9中任意一項所述的加熱裝置。