[實用新型]一種新型絕緣硅復合材料有效
| 申請號： | 201220747777.0 | 申請日： | 2012-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN203150548U | 公開（公告）日： | 2013-08-21 |
| 發明（設計）人： | 黃志強 | 申請（專利權）人： | 黃志強 |
| 主分類號： | H01L27/12 | 分類號： | H01L27/12;H01L21/762 |
| 代理公司： | 蘇州銘浩知識產權代理事務所(普通合伙) 32246 | 代理人： | 張一鳴 |
| 地址： | 215100 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 新型 絕緣 復合材料 | ||
【權利要求書】：
1.一種新型絕緣硅復合材料，包含中間絕緣層；所述中間絕緣層的上表面和下表面分別設置有單晶硅片；其特征在于：所述中間絕緣層，包含二氧化硅基多元無機復合材料層；所述二氧化硅基多元無機復合材料層的上表面設置有第一二氧化硅膜層。
2.根據權利要求1所述的新型絕緣硅復合材料，其特征在于：所述二氧化硅基多元無機復合材料層的下表面設置有第二二氧化硅膜層。
3.根據權利要求1所述的新型絕緣硅復合材料，其特征在于：所述二氧化硅基多元無機復合材料層由二氧化硅基多元無機復合材料制成，所述二氧化硅基多元無機復合材料的化學式為SiO2-Al2O3-PbO。
4.根據權利要求1所述的新型絕緣硅復合材料，其特征在于：所述新型絕緣硅復合材料的層間結構為Si-SiO2-(SiO2-Al2O3-PbO)-SiO2-Si。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
