[實用新型]一種雙極電容結構有效
| 申請號： | 201220747322.9 | 申請日： | 2012-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN203038922U | 公開（公告）日： | 2013-07-03 |
| 發明（設計）人： | 張佼佼;李小鋒;楊彥濤;肖金平;王鐸 | 申請（專利權）人： | 杭州士蘭集成電路有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/06 | 分類號： | H01L27/06;H01L23/64 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭州*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 電容 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種雙極電容結構，包括：?
一半導體襯底，所述半導體襯底的外延層中有摻雜的深磷、第一類摻雜區、第二類摻雜區和上隔離；?
淀積在所述半導體襯底上的第一介質層；?
分別形成在所述深磷、第一類摻雜區、第二類摻雜區和上隔離上的第一介質層中的接觸孔，以及形成在所述第二類摻雜區上的第一介質層中所需的電容窗口；?
二氧化硅層和氮化硅層，由下至上形成復合電容位于所需的電容窗口中。?
2.如權利要求1所述的雙極電容結構，其特征在于，還包括發射區，所述發射區形成在所述第一類摻雜區內對準一接觸孔的部位。?
3.如權利要求1所述的雙極電容結構，其特征在于，所述二氧化硅層的厚度為
4.如權利要求3所述的雙極電容結構，其特征在于，所述復合電容介質系數的大小通過調整復合介質中的各層的厚度實現。?
5.如權利要求1所述的雙極電容結構，其特征在于，所述發射區包孔為所述發射區與其對準的接觸孔孔底邊緣的橫向間距，所述發射區包孔的特征尺寸為0.3um～0.5um。?
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
