[實(shí)用新型]單管學(xué)習(xí)放大電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220747305.5 | 申請日: | 2012-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN202995521U | 公開(公告)日: | 2013-06-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鄭尊標(biāo);李猛;歐陽震 | 申請(專利權(quán))人: | 杭州士蘭微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | G05F1/46 | 分類號: | G05F1/46;G08C23/04 |
| 代理公司: | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 鄭瑋 |
| 地址: | 310012*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 學(xué)習(xí) 放大 電路 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及學(xué)習(xí)型遙控器領(lǐng)域,尤其涉及一種單管學(xué)習(xí)放大電路。
背景技術(shù)
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中單管學(xué)習(xí)放大電路的等效原理框圖,圖2為現(xiàn)有技術(shù)中單管學(xué)習(xí)放大電路采集到的紅外信號與參考電壓的波形圖,如圖1所示,所述單管學(xué)習(xí)放大電路的結(jié)構(gòu)包括微控制單元(Micro?Control?Unit,MCU)110,紅外接收網(wǎng)絡(luò)111,其中所述微控制單元110包括:核心處理器(CPU)117,比較器115,定時/捕獲器116,參考電壓分壓網(wǎng)絡(luò)118以及比較器的負(fù)端輸入口(CPN)119。所述紅外接收網(wǎng)絡(luò)111包括:收發(fā)一體紅外管113,限流電阻112以及負(fù)載電阻114。所述限流電阻112的一端連接至如圖2所示的電源(VDD)212,另一端連接至所述收發(fā)一體紅外管113的陽極,所述收發(fā)一體紅外管113的陰極連接至所述比較器負(fù)端輸入口119。所述負(fù)載電阻114的一端連接至所述收發(fā)一體紅外管113的陰極。在所述微控制單元110的內(nèi)部:所述參考電壓網(wǎng)絡(luò)118的輸出連接至所述比較器115的正端。所述比較器115的輸出連接至所述定時/捕獲器116的輸入。所述定時/捕獲器116的輸出連接至所述核心處理器117。
現(xiàn)有技術(shù)中單管學(xué)習(xí)放大電路的學(xué)習(xí)解碼過程如下,所述收發(fā)一體紅外管接113接收到紅外信號后,通過所述負(fù)載電阻114將紅外信號轉(zhuǎn)換成如圖2所示的微弱的電壓脈沖信號,電壓脈沖信號(Vrs)210如圖2所示,電壓脈沖信號210連接至所述比較器的負(fù)端輸入口119與來自所述參考電壓分壓網(wǎng)絡(luò)118的參考電壓進(jìn)行比較,參考電壓(Vcv)211如圖2所示,經(jīng)過所述比較器115比較后將結(jié)果輸出至所述定時/捕獲器116進(jìn)行解碼分析,最終將解碼信息輸出至所述核心處理器CPU?117進(jìn)行處理分析,將學(xué)習(xí)的碼型進(jìn)行記錄,至此整個學(xué)習(xí)過程結(jié)束。
其中:假設(shè)所述電壓脈沖信號Vrs的峰峰值為Vps,其電壓幅度與負(fù)載電阻的大小及接收距離的遠(yuǎn)近有關(guān),與工作電壓VDD的大小無關(guān)。為了使所述比較器115達(dá)到最佳比較效果,通常將所述參考電壓Vcv設(shè)置為:
即:所述比較器115的比較輸入正負(fù)端電勢差最大。所述參考電壓分壓網(wǎng)絡(luò)118的輸出參考電壓Vcv通常由分壓比例電阻構(gòu)成,假設(shè)分壓比例系數(shù)為K,則有:
現(xiàn)有技術(shù)中單管學(xué)習(xí)放大電路的主要存在以下問題:
一、所述參考電壓分壓網(wǎng)絡(luò)118的參考電壓Vcv不能隨著工作電壓VDD的降低而進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)節(jié)。具體為:為使所述比較器115達(dá)到理想的比較效果,來自所述參考電壓分壓網(wǎng)絡(luò)118的參考電壓Vcv應(yīng)該隨著工作電壓VDD的降低而進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)節(jié),而當(dāng)前條件下VDD的電壓值未知,故無法進(jìn)行相應(yīng)的比例調(diào)節(jié),導(dǎo)致產(chǎn)生不能學(xué)習(xí)的情況。例如:當(dāng)VDD=3V時,假設(shè)接收到的Vrs峰峰值為100mV,則應(yīng)設(shè)置Vcv為2.950V,此時K=2.95/3=0.983。當(dāng)VDD=1.8V時,K值不會改變,則Vcv=1.8*0.983=1.77。此時相對于VDD的電勢僅-30mV,而通常情況下所述比較器115為防止比較端電勢差過低導(dǎo)致輸出產(chǎn)生毛刺設(shè)計(jì)時會考慮引入遲滯電壓,往往該遲滯電壓都會大于30mV。綜上最終導(dǎo)致所述比較器115輸出保持不變,從而學(xué)習(xí)碼型不成功。
二、所述負(fù)載電阻114不可調(diào)。具體為:所述負(fù)載電阻114通常為貼片薄膜電阻,而不同的所述收發(fā)一體紅外管113產(chǎn)生光電流的能力有差異,則在采用不同的所述收發(fā)一體紅外管113時需匹配不同的負(fù)載電阻來產(chǎn)生較理想的電壓信號,如此會增加生產(chǎn)庫存及管理的成本。若采用電位器作為負(fù)載電阻則會增加產(chǎn)品成本。
實(shí)用新型內(nèi)容
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