[實用新型]等離子體刻蝕處理裝置有效
| 申請號： | 201220747252.7 | 申請日： | 2012-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN203013674U | 公開（公告）日： | 2013-06-19 |
| 發明（設計）人： | 張冬平;楊佐東 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 100176 北京市大興區*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 等離子體 刻蝕 處理 裝置 | ||
1.一種等離子體刻蝕處理裝置，其特征在于，包括：等離子體工藝腔室、聚焦環及聚焦環冷卻系統；
其中，所述聚焦環及聚焦環冷卻系統均設置于所述等離子體工藝腔室中；
所述聚焦環冷卻系統能夠控制所述聚焦環的溫度。
2.如權利要求1所述的等離子體刻蝕處理裝置，其特征在于，所述聚焦環具有一環形凹槽，所述聚焦環冷卻系統設置于所述環形凹槽內。
3.如權利要求1所述的等離子體刻蝕處理裝置，其特征在于，所述聚焦環包括順次連接的第一圓環、第二圓環和第三圓環組成，其中，所述第二圓環的厚度比第一圓環和第三圓環都厚。
4.如權利要求1所述的等離子體刻蝕處理裝置，其特征在于，所述聚焦環冷卻系統輸送冷卻劑到聚焦環，所述冷卻劑為氣體。
5.如權利要求4所述的等離子體刻蝕處理裝置，其特征在于，所述聚焦環冷卻系統中使用的冷卻劑是氦氣。
6.如權利要求1所述的等離子體刻蝕處理裝置，其特征在于，還包括晶圓冷卻系統，所述晶圓冷卻系統設置于所述等離子體工藝腔室中，所述聚焦環冷卻系統與晶圓冷卻系統各有獨立的冷卻劑供應源，或者合用同一個冷卻劑供應源。
7.如權利要求1所述的等離子體刻蝕處理裝置，其特征在于，所述聚焦環冷卻系統包括兩路管路，一路管路連接聚焦環，另一路管路連接流量計。
8.如權利要求1所述的等離子體刻蝕處理裝置，其特征在于，還包括一頂環，所述頂環壓在所述聚焦環上。
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