[實用新型]P-MOS控制的多電壓多電流精確可調(diào)反饋控制電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220745918.5
• 申請日: 2012-12-29
• 公開（公告）號: CN203054662U
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 梁為元;何小雄;李洋
• 申請（專利權(quán)）人: 徐州市恒源電器有限公司
• 主分類號: G05F1/575
• 分類號: G05F1/575
• 代理公司: 徐州支點知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32244
• 代理人: 劉新合

1.一種P-MOS控制的多電壓多電流精確可調(diào)反饋控制電路，包括反饋光耦、電壓反饋比較器、電流反饋比較器、輸出電壓檢測電路、電壓反饋基準(zhǔn)電壓電路、輸出電流檢測電路和電流反饋基準(zhǔn)電壓電路，其特征在于，還包括電壓反饋基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路和電流反饋基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路，電壓反饋基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路通過電壓反饋基準(zhǔn)電壓連接到電壓反饋比較器的其中一個輸入端口，輸出電壓檢測電路連接到電壓反饋比較器的另外一個輸入端口，電壓反饋比較器的輸出端口連接到反饋光耦，電流反饋基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路通過電流反饋基準(zhǔn)電壓連接到電流反饋比較器的其中一個輸入端口，輸出電流檢測電路連接到電流反饋比較器的另外一個輸入端口，電流反饋比較器的輸出端口連接到反饋光耦；電壓反饋基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路包括電阻R7、電阻R8、電阻R5、電阻R6、P溝道耗盡型場效應(yīng)管Q1、P溝道耗盡型場效應(yīng)管Q2、微處理芯片U3,電阻R4和電阻R9的連接點通過電阻R7連接到P溝道耗盡型場效應(yīng)管Q1的漏極，微處理芯片U3的第1管腳通過電阻R5連接到P溝道耗盡型場效應(yīng)管Q1的柵極，P溝道耗盡型場效應(yīng)管Q1的源極接+5V電壓，電阻R4和電阻R9的連接點通過電阻R8連接到P溝道耗盡型場效應(yīng)管Q2的漏極，微處理芯片U3的第2管腳通過電阻R6連接到P溝道耗盡型場效應(yīng)管Q2的柵極，P溝道耗盡型場效應(yīng)管Q2的源極接+5V電壓；電流反饋基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路包括電阻R18、電阻R19、電阻R16、電阻R17、P溝道耗盡型場效應(yīng)管Q3、P溝道耗盡型場效應(yīng)管Q4、微處理芯片U3,電阻R14和電阻R15的連接點通過電阻R18連接到P溝道耗盡型場效應(yīng)管Q3的漏極，微處理芯片U3的第8管腳通過電阻R16連接到P溝道耗盡型場效應(yīng)管Q3的柵極，P溝道耗盡型場效應(yīng)管Q3的源極接+5V電壓，電阻R14和電阻R15的連接點通過電阻R19連接到P溝道耗盡型場效應(yīng)管Q4的漏極，微處理芯片U3的第9管腳通過電阻R17連接到P溝道耗盡型場效應(yīng)管Q4的柵極，P溝道耗盡型場效應(yīng)管Q4的源極接+5V電壓，微處理芯片U3的第14管腳接+5V電壓，第7管腳接地。?

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種P-MOS控制的多電壓多電流精確可調(diào)反饋控制電路，其特征在于，所述的反饋光耦包括電阻R1、光耦U1A、二極管D2，輸出電壓通過電阻R1接到光耦U1A中的發(fā)光二極管的陽極，光耦U1A中的發(fā)光二極管的陰極與二極管D1的陽極和二極管的陽極相連接。?

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種P-MOS控制的多電壓多電流精確可調(diào)反饋控制電路，其特征在于，所述的電壓反饋比較器包括比較放大器U2A、電阻R2、電容C1、電容C2、二極管D1，比較放大器第8管腳通過電容C1接地，第4管腳直接接地，電容C2和電阻R2串聯(lián)?到比較放大器的第1管腳和第2管腳之間，電容C2與比較放大器第1管腳連接，電阻R2與比較放大器第2管腳連接，二極管D1的陰極連接比較放大器的第1管腳，二極管D1的陽極連接光耦U1A中的發(fā)光二極管的陰極。?

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種P-MOS控制的多電壓多電流精確可調(diào)反饋控制電路，其特征在于，所述的電流反饋比較器包括比較放大器U2B、電阻R12、電容C3、二極管D2，電容C3和電阻R12串聯(lián)到比較放大器的第7管腳和第6管腳之間，電容C3與比較放大器第7管腳連接，電阻R12與比較放大器第6管腳連接，二極管D2的陰極連接比較放大器的第7管腳，二極管D2的陽極連接光耦U1A中的發(fā)光二極管的陰極。?

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種P-MOS控制的多電壓多電流精確可調(diào)反饋控制電路，其特征在于，所述的輸出電壓檢測電路包括電阻R3、電阻R10、電阻R11，輸出電壓經(jīng)過電阻R10和電阻R11連接到地，電阻R3一端連接到電阻R10和電阻R11之間，一端連接到比較放大器U2A的第2管腳。?

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種P-MOS控制的多電壓多電流精確可調(diào)反饋控制電路，其特征在于，所述的電壓反饋基準(zhǔn)電壓電路包括電阻R4、電阻R9，基準(zhǔn)電壓+5V經(jīng)過電阻R4和電阻R9連接到地，電阻R4和電阻R9連接點連接到比較放大器的第3管腳。?

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種P-MOS控制的多電壓多電流精確可調(diào)反饋控制電路，其特征在于，所述的輸出電流檢測電路包括電阻R13，檢流電阻上的電壓經(jīng)過電阻R13連接到比較放大器U2B的第6管腳。?

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種P-MOS控制的多電壓多電流精確可調(diào)反饋控制電路，其特征在于，所述的電流反饋基準(zhǔn)電壓電路包括電阻R14、電阻R15，基準(zhǔn)電壓+5V經(jīng)過電阻R14和電阻R15連接到地，電阻R14和電阻R15連接點連接到比較放大器的第5管腳。?