[實用新型]具有終端保護結構的半導體功率器件

有效

• 申請號: 201220742195.3
• 申請日: 2012-12-28
• 公開（公告）號: CN203038927U
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 林敏之;陳偉
• 申請（專利權）人: 上海貝嶺股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06
• 代理公司: 北京金信立方知識產權代理有限公司 11225
• 代理人: 劉鋒;劉世杰

1.一種具有終端保護結構的半導體功率器件，包括有源區以及環繞該有源區設置的終端保護區，該終端保護區具有劃片邊緣，該有源區包括第一類導電類型的襯底層、形成于該襯底層上的第一類導電類型的外延層以及形成于該外延層上的第二類導電類型的阱層，該外延層上方覆蓋有氧化層和金屬層，該氧化層和金屬層延伸到該終端保護區內，其特征在于，

所述終端保護區包括一個填充滿絕緣材料的溝槽，該溝槽在垂直方向上緊鄰該氧化層，并延伸入該外延層內，其中，該溝槽在寬度方向上包括一個與該劃片邊緣相重疊的第一邊緣以及與該第一邊緣相對的第二邊緣。

2.根據權利要求1所述的具有終端保護結構的半導體功率器件，其特征在于，所述溝槽的所述第二邊緣未與該有源區相接觸。

3.根據權利要求1所述的具有終端保護結構的半導體功率器件，其特征在于，所述溝槽的所述第二邊緣緊貼該有源區。

4.根據權利要求1所述的具有終端保護結構的半導體功率器件，其特征在于，所述溝槽延伸入所述外延層的深度為所述外延層的整個深度的10％到130％之間。

5.根據權利要求4所述的具有終端保護結構的半導體功率器件，其特征在于，所述溝槽穿過所述外延層并延伸入所述襯底層內。

6.根據權利要求1所述的具有終端保護結構的半導體功率器件，其特征在于，所述溝槽的寬度為10微米到70微米之間。

7.根據權利要求1所述的具有終端保護結構的半導體功率器件，其特征在于，所述絕緣材料為二氧化硅或氮化硅。

8.根據權利要求1所述的具有終端保護結構的半導體功率器件，其特征在于，所述半導體功率器件為垂直結構的功率管。

9.根據權利要求8所述的具有終端保護結構的半導體功率器件，其特征在于，所述半導體功率器件為場效應管。

10.根據權利要求8所述的具有終端保護結構的半導體功率器件，其特征在于，所述半導體功率器件為絕緣柵雙極晶體管。

11.根據權利要求8所述的具有終端保護結構的半導體功率器件，其特征在于，所述半導體功率器件為功率二極管。