[實(shí)用新型]用于刻納米銀導(dǎo)電材料的裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220737297.6
• 申請日: 2012-12-28
• 公開（公告）號(hào): CN203171145U
• 公開（公告）日: 2013-09-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙裕興;狄建科;張偉
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州德龍激光股份有限公司
• 主分類號(hào): B23K26/36
• 分類號(hào): B23K26/36;B23K26/06;B23K26/16;B23K26/42
• 代理公司: 南京蘇科專利代理有限責(zé)任公司 32102
• 代理人: 王玉國;陳忠輝

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種激光微加工設(shè)備，尤其涉及一種用于刻納米銀導(dǎo)電材料的裝置。?

背景技術(shù)

現(xiàn)在市場上大多使用ITO作為導(dǎo)電膜，但現(xiàn)有ITO材料的導(dǎo)電率及透光性等特性已經(jīng)無法滿足高端應(yīng)用的需求；使用銀納米粉末可以制備具有優(yōu)良表面狀態(tài)和穩(wěn)定電阻的導(dǎo)電帶。若應(yīng)用納米銀粉替代微米銀粉制備導(dǎo)電膠,?可以節(jié)約50?%Ag?;?可用很薄的導(dǎo)電膠涂層連接金屬和陶瓷,?涂層膜均勻平整。在微電子工業(yè)中,?使用光刻技術(shù)所產(chǎn)生的最小線寬是幾百個(gè)納米,?采用深紫外線光刻可能產(chǎn)生100nm?左右的最小線寬,?電子束光刻可給出10nm?以上線寬。但是若以銀原子簇原型長絲裝配元件,?則可大大提高分辨和實(shí)現(xiàn)微型化。銀原子簇材料還可以通過組裝或剪裁以適應(yīng)更廣泛的應(yīng)用,?如在電子元件、計(jì)算元件和傳感器中的應(yīng)用等。利用銀原子簇的分頻和倍頻散射特性,?銀原子簇可用做非線性光學(xué)介質(zhì)。利用納米銀粒子P介孔SiO_2?復(fù)合材料光吸收譜特性和呈現(xiàn)透明P不透明的可逆轉(zhuǎn)變,?可以發(fā)展為光開關(guān)材料。利用納米銀粒子P半導(dǎo)體氧化物(BaO、CsAg)?復(fù)合材料(薄膜材料)?的光電效應(yīng),?可以發(fā)展Ag?-CsO?和Ag?-?BaO?超快時(shí)間響應(yīng)的復(fù)合介質(zhì)光電發(fā)射材料和適用于超短光脈沖檢測和超快響應(yīng)的光開關(guān)材料。?

[0003納米銀的底阻值、高透光、高穩(wěn)定性、低價(jià)格的特性可以是觸摸屏制作成無不可視區(qū)域；憑借這些優(yōu)勢納米銀是替代現(xiàn)有導(dǎo)電材料較好的選擇；使用激光蝕刻方法去除已納米銀為導(dǎo)電的材料具有非接觸、無污染環(huán)境、易控制等特性，使其成為當(dāng)代導(dǎo)電材料線寬控制的重要應(yīng)用熱點(diǎn)，并且逐漸會(huì)在工業(yè)中得到廣泛的應(yīng)用。用激光器蝕刻導(dǎo)電材料可以達(dá)到較穩(wěn)定的線寬，導(dǎo)電材料的線寬最細(xì)可以達(dá)到20um，可以更精密的制作出較為復(fù)雜的圖形，激光刻蝕時(shí)可以方便的更換蝕刻圖形，無廢棄物產(chǎn)生，可大量節(jié)省研發(fā)成本及縮短產(chǎn)品開發(fā)周期。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，提供一種用于刻納米銀導(dǎo)電材料的裝置。?

本實(shí)用新型的目的通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)：

用于刻納米銀導(dǎo)電材料的裝置，特點(diǎn)是：包含有激光器、光閘、1/2波片、格蘭棱鏡、擴(kuò)束鏡、全反鏡片、振鏡系統(tǒng)和遠(yuǎn)心場鏡，所述激光器的輸出端布置有光閘，光閘的輸出端設(shè)置有1/2波片，1/2波片的輸出端布置有格蘭棱鏡，格蘭棱鏡的輸出端依次布置有擴(kuò)束鏡和全反鏡片，全反鏡片的輸出端依次布置有振鏡系統(tǒng)和遠(yuǎn)心場鏡，在振鏡系統(tǒng)上安裝有高度測量儀，遠(yuǎn)心場鏡的輸出端正對(duì)于真空吸附平臺(tái)，所述真空吸附平臺(tái)的上方布置有對(duì)位觀察系統(tǒng)，所述真空吸附平臺(tái)的一側(cè)布置有吹氣系統(tǒng)，另一側(cè)安裝有集塵系統(tǒng)；所述激光器、振鏡系統(tǒng)和高度測量儀均通過通訊系統(tǒng)與工控機(jī)相連。

進(jìn)一步地，上述的用于刻納米銀導(dǎo)電材料的裝置，其中，所述激光器是波長為195nm～1064nm、脈寬在1ps～500ns、頻率在1kHz～1000kHz、M²<2.5的激光器；所述高度測量儀為非接觸式高度測量儀；所述擴(kuò)束鏡為2X～20X的擴(kuò)束鏡；所述遠(yuǎn)心場鏡是規(guī)格為F30~F250的遠(yuǎn)心場鏡。?

本實(shí)用新型技術(shù)方案突出的實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和顯著的進(jìn)步主要體現(xiàn)在：?

本實(shí)用新型通過運(yùn)用高頻率的短脈沖激光器作為激光源，對(duì)不同觸摸屏產(chǎn)品中納米銀導(dǎo)電材料進(jìn)行激光蝕刻，使納米銀導(dǎo)電材料在高頻率的短脈沖固體激光器的作用下氣化而達(dá)到蝕除的目的，通過高精度平臺(tái)的移動(dòng)拼接和小幅面振鏡蝕刻來完成這些導(dǎo)電薄膜材料的蝕刻，其中非接觸式高度測量儀時(shí)時(shí)校準(zhǔn)保證了激光蝕刻工作距的穩(wěn)定性，產(chǎn)生的粉塵在經(jīng)過特制的吹氣系統(tǒng)和大流量積塵系統(tǒng)集塵，加工出無污染、線性穩(wěn)定、功能完好的觸摸屏電子產(chǎn)品。加工方式簡單、效率高，且無需耗材。

附圖說明

下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型技術(shù)方案作進(jìn)一步說明：?

圖1：本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

用于刻納米銀導(dǎo)電材料的裝置，包含有激光器1、光閘2、1/2波片3、格蘭棱鏡4、擴(kuò)束鏡5、全反鏡片6、振鏡系統(tǒng)7和遠(yuǎn)心場鏡8，激光器1的輸出端布置有光閘2，光閘2的輸出端設(shè)置有1/2波片3，1/2波片3的輸出端布置有格蘭棱鏡4，格蘭棱鏡4的輸出端依次布置有擴(kuò)束鏡5和全反鏡片6，全反鏡片6的輸出端依次布置有振鏡系統(tǒng)7和遠(yuǎn)心場鏡8，在振鏡系統(tǒng)7上安裝有高度測量儀，遠(yuǎn)心場鏡8的輸出端正對(duì)于真空吸附平臺(tái)13，所述真空吸附平臺(tái)13的上方布置有對(duì)位觀察系統(tǒng)9，真空吸附平臺(tái)13的一側(cè)布置有吹氣系統(tǒng)11，另一側(cè)安裝有集塵系統(tǒng)10；激光器1、振鏡系統(tǒng)7和高度測量儀均通過通訊系統(tǒng)15與工控機(jī)14相連。?