[實(shí)用新型]陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220736264.X
• 申請(qǐng)日: 2012-12-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN203012306U
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郤玉生;胡海琛;林鴻濤;王章濤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1343
• 分類號(hào): G02F1/1343
• 代理公司: 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板及顯示裝置。

背景技術(shù)

近年來(lái)液晶顯示器以其低工作電壓、低功耗、低輻射、低空間占有率以及輕薄美觀等優(yōu)勢(shì)，不斷普及，已成為市場(chǎng)的主流。隨著人們的認(rèn)識(shí)水平和對(duì)顯示要求的不斷提高，對(duì)于顯示性能也提出了越來(lái)越高的要求，如高亮度、高對(duì)比度、高響應(yīng)速度等，而且對(duì)于整個(gè)顯示器的畫(huà)質(zhì)，如Mura（Mura是指顯示器亮度不均勻,造成各種痕跡的現(xiàn)象）、殘像的要求也越來(lái)越苛刻。而殘像問(wèn)題一直影響LCD的畫(huà)面品質(zhì)，尤其是長(zhǎng)期畫(huà)面品質(zhì)的重要問(wèn)題之一。

如圖1所示，當(dāng)像素區(qū)域出現(xiàn)短差而造成液晶配向不連續(xù)，會(huì)加重短期殘像，同時(shí)像素區(qū)域不平坦時(shí)（如圖2所示），摩擦（rubbing）過(guò)程PI受到的不均等的rubbing力度，從而造成配向欠陷，最終造成殘像，目前通常通過(guò)增加導(dǎo)向膜（PI）厚度來(lái)改善殘像問(wèn)題（如圖3所示）。

實(shí)用新型內(nèi)容

（一）要解決的技術(shù)問(wèn)題

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型提供一種陣列基板及顯示裝置，使像素區(qū)域平坦化，降低殘像，提高顯示品質(zhì)。

（二）技術(shù)方案

本實(shí)用新型提供一種陣列基板，包括：像素區(qū)域，所述像素區(qū)域包括：襯底基板以及在所述襯底基板上依次形成的第一電極、鈍化絕緣層和第二條狀電極，在所述鈍化絕緣層上形成有容納所述第二條狀電極的容納孔，所述第二條狀電極完全形成在所述容納孔中。

其中，所述第一電極為板狀電極或條狀電極。

其中，所述第一電極為公共電極，所述第二電極為像素電極。

其中，所述第一電極為像素電極，所述第二電極為公共電極。

本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。

（三）有益效果

本實(shí)用新型提供的陣列基板及顯示裝置，可以使像素的有效顯示區(qū)域平坦化，在不影響顯示效果的同時(shí)降低PI的厚度，從而降低材料的使用量，降低成本。

附圖說(shuō)明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板像素區(qū)域液晶配向不連續(xù)示意圖；

圖2是現(xiàn)有技術(shù)中rubbing過(guò)程中PI不均等的受力示意圖；

圖3是現(xiàn)有技術(shù)中增加PI厚度后rubbing過(guò)程中PI的受力示意圖；

圖4是現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板像素區(qū)域剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是圖4的a-a面剖視圖；

圖6-圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例1的陣列基板像素區(qū)域結(jié)構(gòu)側(cè)視圖；

圖8-圖9為本實(shí)用新型實(shí)施例2的陣列基板像素區(qū)域結(jié)構(gòu)側(cè)視圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說(shuō)明本實(shí)用新型，但不用來(lái)限制本實(shí)用新型的范圍。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種基于現(xiàn)有ADS結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)后的陣列基板。其中，ADS（ADvanced?Super?Dimension?Switch，高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換）技術(shù)主要是通過(guò)同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場(chǎng)以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場(chǎng)形成多維電場(chǎng)，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高TFT-LCD產(chǎn)品的畫(huà)面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過(guò)率、低功耗、寬視角、高開(kāi)口率、低色差、無(wú)擠壓水波紋（push?Mura）等優(yōu)點(diǎn)。

如圖4并參考圖5所示，現(xiàn)有技術(shù)中ADS型陣列基板像素區(qū)域包括：襯底基板以及在所述襯底基板51上依次形成的第一電極52（即板狀電極）、鈍化絕緣層53和第二電極54（即狹縫電極）。

其中，上述襯底基板可以是玻璃基板、石英基板等基于無(wú)機(jī)材料制作的基板，也可以是基于有機(jī)塑料等有機(jī)材質(zhì)的基板。

實(shí)施例1

如圖6并參考圖7所示，本實(shí)用新型實(shí)施例1提供一種陣列基板，包括：像素區(qū)域，所述像素區(qū)域包括：襯底基板11以及在所述襯底基板11上依次形成的第一電極12、鈍化絕緣層13和第二條狀電極141，在所述鈍化絕緣層13上形成有容納第二條狀電極141的容納孔14，所述第二條狀電極141完全形成在所述容納孔14中；其中，所述第一電極12為板狀電極。

進(jìn)一步地，在本實(shí)施例中，所述第一電極12為公共電極，所述第二條狀電極141為像素電極；或者，所述第一電極12為像素電極，所述第二條狀電極141為公共電極。

實(shí)施例2