[實(shí)用新型]半導(dǎo)體封裝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220734970.0
• 申請日: 2012-12-27
• 公開（公告）號: CN203103293U
• 公開（公告）日: 2013-07-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬克·格里斯沃爾德
• 申請（專利權(quán)）人: 美國博通公司
• 主分類號: H01L23/535
• 分類號: H01L23/535;H01L23/488
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 田喜慶

本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體封裝。

集成電路（Integrated?circuit，IC）產(chǎn)品繼續(xù)變得日益集成化。提高產(chǎn)品的集成度可能需要增加集成電路產(chǎn)品的元件數(shù)量，同時(shí)必須被IC產(chǎn)品容納。一種制造IC的方法包括使用單個(gè)大型有源芯片以容納IC產(chǎn)品元件。單個(gè)大型有源芯片可以被附接至封裝基板。另一種方法中，IC產(chǎn)品的元件分布在兩個(gè)或多個(gè)有源芯片上，其中每個(gè)有源芯片都小于單個(gè)大型有源芯片。有源芯片與另一個(gè)有源芯片電連接以形成IC產(chǎn)品。有源芯片可以以平鋪方式放置，也可相互堆疊。

本實(shí)用新型提供了一種半導(dǎo)體封裝，具體如下：

（1）一種半導(dǎo)體封裝，包括：

第一和第二有源芯片；

內(nèi)插芯片，包括至少部分第一刻線圖像和至少部分第二刻線圖像；

所述內(nèi)插芯片將所述第一有源芯片電連接至所述第二有源芯片。

（2）根據(jù)（1）所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述內(nèi)插芯片將所述第一有源芯片電連接至封裝基板。

（2）根據(jù)（1）所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述內(nèi)插芯片將所述第一有源芯片電連接至封裝基板。

（3）根據(jù)（1）所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述內(nèi)插芯片將所述第二有源芯片電連接至封裝基板。

（4）根據(jù)（1）所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述第一和第二有源芯片和所述內(nèi)插芯片為硅芯片。

（5）根據(jù)（1）所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述第一有源芯片電連接并機(jī)械連接至所述至少所述部分所述第一刻線圖像和所述至少所述部分所述第二刻線圖像。

（6）根據(jù)（1）所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述第一有源芯片通過所述至少所述部分所述第二刻線圖像電連接至所述第二有源芯片。

圖1示出說明示例性過程的流程圖。

圖2A示出包括正在進(jìn)行光刻的示例性半導(dǎo)體晶圓的方框圖。

圖2B示出示例性半導(dǎo)體晶圓的頂視圖。

圖2C示出示例性內(nèi)插芯片的頂視圖。

圖2C示出示例性內(nèi)插芯片的頂視圖。

圖2D示出示例性內(nèi)插芯片橫截面圖。

圖2E示出示例性半導(dǎo)體裝置（arrangement）的頂視圖。

圖2F示出示例性半導(dǎo)體裝置的橫截面圖。

圖2G示出示例性半導(dǎo)體封裝的橫截面圖。

以下將介紹包括本實(shí)用新型實(shí)施的詳細(xì)信息。本申請中的附圖以及與之相隨的詳細(xì)描述僅為示例性實(shí)施。除另有聲明，否則，附圖中類似或相應(yīng)的元件由類似或相應(yīng)的參考標(biāo)號表示。此外，本申請中的附圖和圖示通常不按照比例，且并非旨在與實(shí)際相對尺寸相對應(yīng)。

圖1示出說明過程100的流程圖。為說明的目的，過程100對應(yīng)于圖2A、2B、2C、2D、2E、2F和2G進(jìn)行描述。但是，過程100并不受限于圖2A、2B、2C、2D、2E、2F和2G中示出的具體特征。

現(xiàn)參照圖1、2A和2B，過程100包括在半導(dǎo)體晶圓（例如，半導(dǎo)體晶圓200）上光刻形成多個(gè)刻線圖像（例如，多個(gè)刻線圖像202）（圖1中的170）。

圖2A示出包括正在進(jìn)行光刻的半導(dǎo)體晶圓200的方框圖270。圖2B示出半導(dǎo)體晶圓200被光刻后該半導(dǎo)體晶圓200的頂視圖。如圖2B所示，該半導(dǎo)體晶圓200包括多個(gè)刻線圖像202，其中，刻線圖像（例如，芯片圖像）202a、202b、202c、202d和202e獨(dú)立標(biāo)于圖2B中。多個(gè)刻線圖像202中的每個(gè)圖像與所述多個(gè)刻線圖像202的至少一個(gè)其他圖像相鄰。半導(dǎo)體晶圓200包括諸如硅的半導(dǎo)體材料。例如，在本實(shí)施中，半導(dǎo)體晶圓200為硅晶圓。

圖2A示出包括正在進(jìn)行光刻的半導(dǎo)體晶圓200的方框圖270。圖2B示出半導(dǎo)體晶圓200被光刻后該半導(dǎo)體晶圓200的頂視圖。如圖2B所示，該半導(dǎo)體晶圓200包括多個(gè)刻線圖像202，其中，刻線圖像（例如，芯片圖像）202a、202b、202c、202d和202e獨(dú)立標(biāo)于圖2B中。多個(gè)刻線圖像202中的每個(gè)圖像與所述多個(gè)刻線圖像202的至少一個(gè)其他圖像相鄰。半導(dǎo)體晶圓200包括諸如硅的半導(dǎo)體材料。例如，在本實(shí)施中，半導(dǎo)體晶圓200為硅晶圓。

多個(gè)刻線圖像202被光刻形成在所述半導(dǎo)體晶圓200上。這可通過多種方法實(shí)現(xiàn)，其中一種方法包括利用輻射源204、刻線206和成像子系統(tǒng)208在半導(dǎo)體晶圓200上光刻形成多個(gè)刻線圖像202。輻射源204、刻線206和成像子系統(tǒng)208可使用，例如，步進(jìn)重復(fù)曝光或步進(jìn)掃描曝光，但不僅限于這些技術(shù)。