[實用新型]碳化硅橫向PIN型微型核電池

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220734703.3
• 申請日: 2012-12-27
• 公開（公告）號: CN202976869U
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張林;李清華;邱彥章;巨永鋒
• 申請（專利權(quán)）人: 長安大學
• 主分類號: G21H1/06
• 分類號: G21H1/06
• 代理公司: 西安創(chuàng)知專利事務所 61213
• 代理人: 譚文琰

1.一種碳化硅橫向PIN型微型核電池，其特征在于：包括由N型SiC基片構(gòu)成的襯底（1）和設(shè)置在所述襯底（1）上部的N型SiC外延層（2），所述N型SiC外延層（2）上設(shè)置有N型SiC歐姆接觸摻雜區(qū)（3）和P型SiC歐姆接觸摻雜區(qū)（4），所述N型SiC歐姆接觸摻雜區(qū)（3）上部設(shè)置有形狀與所述N型SiC歐姆接觸摻雜區(qū)（3）形狀相同的N型歐姆接觸電極（5），所述P型SiC歐姆接觸摻雜區(qū)（4）上部設(shè)置有形狀與所述P型SiC歐姆接觸摻雜區(qū)（4）形狀相同的P型歐姆接觸電極（6）；所述N型SiC歐姆接觸摻雜區(qū)（3）、P型SiC歐姆接觸摻雜區(qū)（4）、N型歐姆接觸電極（5）和P型歐姆接觸電極（6）均為由一條水平指條和多條垂直指條構(gòu)成的指狀結(jié)構(gòu)，所述N型歐姆接觸電極（5）的垂直指條與所述P型歐姆接觸電極（6）的垂直指條相互交叉設(shè)置構(gòu)成了叉指結(jié)構(gòu)；所述N型SiC外延層（2）上部除去N型歐姆接觸電極（5）和P型歐姆接觸電極（6）的區(qū)域設(shè)置有二氧化硅層（7）。

2.按照權(quán)利要求1所述的碳化硅橫向PIN型微型核電池，其特征在于：所述N型SiC歐姆接觸摻雜區(qū)（3）和N型歐姆接觸電極（5）均為由一條水平指條和三條垂直指條構(gòu)成的指狀結(jié)構(gòu)，所述P型SiC歐姆接觸摻雜區(qū)（4）和P型歐姆接觸電極（6）均為由一條水平指條和兩條垂直指條構(gòu)成的指狀結(jié)構(gòu)，所述P型歐姆接觸電極（6）的兩條垂直指條分別位于所述N型歐姆接觸電極（5）的三條垂直指條之間的兩個間隙中構(gòu)成了叉指結(jié)構(gòu)。

3.按照權(quán)利要求1或2所述的碳化硅橫向PIN型微型核電池，其特征在于：所述N型SiC外延層（2）的厚度為5μm～15μm。

4.按照權(quán)利要求1或2所述的碳化硅橫向PIN型微型核電池，其特征在于：所述N型SiC歐姆接觸摻雜區(qū)（3）的水平指條和垂直指條的寬度，所述P型SiC歐姆接觸摻雜區(qū)（4）的水平指條和垂直指條的寬度，所述N型歐姆接觸電極（5）的水平指條和垂直指條的寬度，以及所述P型歐姆接觸電極（6）的水平指條和垂直指條的寬度均為0.5μm～2μm；所述P型歐姆接觸電極（6）的垂直指條與所述N型歐姆接觸電極（5）的垂直指條之間的間隔距離為10μm～15μm。

5.按照權(quán)利要求1或2所述的碳化硅橫向PIN型微型核電池，其特征在于：所述N型歐姆接觸電極（5）由依次從下到上的第一Ni層和第一Pt層構(gòu)成，所述第一Ni層的厚度為200nm～400nm，所述第一Pt層的厚度為50nm～200nm。

6.按照權(quán)利要求1或2所述的碳化硅橫向PIN型微型核電池，其特征在于：所述P型歐姆接觸電極（6）由依次從下到上的第二Ni層和第二Pt層構(gòu)成，所述第二Ni層的厚度為200nm～400nm，所述第二Pt層的厚度為50nm～200nm。

7.按照權(quán)利要求1或2所述的碳化硅橫向PIN型微型核電池，其特征在于：所述二氧化硅層（7）的厚度為10nm～50nm。