[實用新型]一種用于MOCVD反應室的電磁加熱裝置

有效

• 申請號: 201220731752.1
• 申請日: 2012-12-27
• 公開（公告）號: CN202989278U
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: 李志明;李金屏;江海鷹
• 申請（專利權）人: 濟南大學
• 主分類號: C23C16/46
• 分類號: C23C16/46
• 代理公司: 濟南泉城專利商標事務所 37218
• 代理人: 李桂存

1.一種用于MOCVD反應室的電磁加熱裝置，包括石墨基座和線圈，其特征在于：所述石墨基座為圓柱形且線圈設置在石墨基座的下方，所述石墨基座上表面設置有向下凹陷的圓環形凹槽。

2.根據權利要求1所述用于MOCVD反應室的電磁加熱裝置，其特征在于：所述圓環形凹槽分為上下兩級且均與石墨基座同心，上級圓環形凹槽的外直徑大于下級圓環形凹槽的外直徑，石墨基座中心設置有中心柱，所述中心柱的頂部與上級圓環形凹槽的底部在同一平面上。

3.根據權利要求1所述用于MOCVD反應室的電磁加熱裝置，其特征在于：所述下級圓環形凹槽的內半徑是石墨基座半徑的0.3倍，下級圓環形凹槽的外半徑是石墨基座半徑的0.8倍，下級圓環形凹槽的深度是石墨基座高度的0.7倍。

4.根據權利要求1所述用于MOCVD反應室的電磁加熱裝置，其特征在于：所述下級圓環形凹槽的深度大于上級圓環形凹槽的深度。

5.根據權利要求1所述用于MOCVD反應室的電磁加熱裝置，其特征在于：所述上級圓環形凹槽的外直徑和深度與晶片的直徑和厚度一致。

6.根據權利要求1所述用于MOCVD反應室的電磁加熱裝置，其特征在于：所述線圈以同心圓的方式均勻盤繞在石墨基座的下方。

7.根據權利要求1所述用于MOCVD反應室的電磁加熱裝置，其特征在于：所述線圈距石墨基座底部距離小于石墨基座的高度，線圈中心與最外層線圈的距離和石墨基座半徑近似相等。