[實用新型]一種氮化鋁晶體生長制備爐

有效

• 申請號: 201220730933.2
• 申請日: 2012-12-26
• 公開（公告）號: CN203049096U
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發明（設計）人: 徐永亮;施海斌;張國華
• 申請（專利權）人: 上海昀豐新能源科技有限公司
• 主分類號: C30B29/40
• 分類號: C30B29/40;C30B23/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 魏曉波

1.一種氮化鋁晶體生長制備爐，包括保溫裝置和內部的筒狀帶底加熱裝置（2），其特征在于，還包括由所述氮化鋁晶體生長制備爐底部穿入所述筒狀帶底加熱裝置（2）內部的坩堝升降軸（4），所述坩堝升降軸（4）與所述筒狀帶底加熱裝置（2）同軸，并可帶動安裝在其端部的坩堝（7）的下部暴露于所述筒狀帶底加熱裝置（2）之外。

2.根據權利要求1所述的氮化鋁晶體生長制備爐，其特征在于，所述筒狀帶底加熱裝置（2）的側面由多個電阻式鎢棒加熱器圍成。

3.根據權利要求2所述的氮化鋁晶體生長制備爐，其特征在于，多個所述電阻式鎢棒加熱器沿周向均勻分布，且相鄰兩根電阻式鎢棒加熱器之間的距離不大于5cm。

4.根據權利要求1所述的氮化鋁晶體生長制備爐，其特征在于，所述保溫裝置包括：

套設在所述筒狀帶底加熱裝置（2）外側的保溫筒（6）；

設置于所述筒狀帶底加熱裝置（2）的下部，且與所述筒狀帶底加熱裝置（2）底部具有間隔的底部保溫屏（5）；

設置于所述筒狀帶底加熱裝置（2）頂部且深入所述筒狀帶底加熱裝置（2）內部的頂部保溫屏（1）。

5.根據權利要求4所述的氮化鋁晶體生長制備爐，其特征在于，所述底部保溫屏（5）和所述保溫筒（6）均與所述筒狀帶底加熱裝置（2）同心設置，且所述底部保溫屏（5）套設于所述保溫筒（6）內部。

6.根據權利要求5所述的氮化鋁晶體生長制備爐，其特征在于，所述保溫筒（6）為整體加工成型的鎢筒。

7.根據權利要求4所述的氮化鋁晶體生長制備爐，其特征在于，還包括套設于所述保溫筒（6）外側的側面保溫屏（3）。

8.根據權利要求7所述的氮化鋁晶體生長制備爐，其特征在于，還包括設置于所述氮化鋁晶體生長制備爐底端的鋯盤（8），所述鋯盤（8）上設置有用于所述坩堝升降軸（4）穿過的通孔，且所述側面保溫屏（3）和所述底部保溫屏（5）均設置于所述鋯盤（8）上。

9.根據權利要求4所述的氮化鋁晶體生長制備爐，其特征在于，所述底部保溫屏（5）和頂部保溫屏（1）均由多個鉬片層和鎢片層相間布置而成，并且所述鎢片層由多個同心的鎢片圓環構成，所述鉬片層由多個同心的鉬片圓環構成。

10.根據權利要求9所述的氮化鋁晶體生長制備爐，其特征在于，還包括設置于所述筒狀帶底加熱裝置（2）開口端的帶水冷的法蘭，所述頂部保溫屏（1）設置于所述法蘭上。