[實用新型]用于室溫檢測超低濃度氮氧化物氣體的氣敏元件有效
| 申請號: | 201220729968.4 | 申請日: | 2012-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN203069539U | 公開(公告)日: | 2013-07-17 |
| 發明(設計)人: | 胡明;李明達;馬雙云;閆文君;曾鵬 | 申請(專利權)人: | 天津大學 |
| 主分類號: | G01N27/00 | 分類號: | G01N27/00 |
| 代理公司: | 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201 | 代理人: | 張宏祥 |
| 地址: | 300072*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 室溫 檢測 濃度 氧化物 氣體 元件 | ||
1.一種用于室溫檢測超低濃度氮氧化物氣體的氣敏元件,包括硅基片襯底和鉑電極,其特征在于,所述硅基片襯底(1)為n型單晶硅基片,尺寸為2.4cm×0.9cm;硅基片襯底(1)的上面設置有多孔硅層(2),該多孔硅層(2)的平均孔徑為170.28nm,厚度為68.78μm,多孔硅層(2)的上面設置有氧化鎢薄膜(3),薄膜厚度為35nm,所述多孔硅層(2)與氧化鎢薄膜(3)形成多孔硅基氧化鎢納米復合結構;氧化鎢薄膜(3)的上表面設置有鉑電極正極(4)和鉑電極負極(5)。
2.根據權利要求1的用于室溫檢測超低濃度氮氧化物氣體的氣敏元件,其特征在于,所述鉑電極正極(4)和鉑電極負極(5)為0.2cm×0.2cm的方形鉑電極,電極間距為0.8cm。
3.根據權利要求1的用于室溫檢測超低濃度氮氧化物氣體的氣敏元件,其特征在于,所述鉑電極正極(4)和鉑電極負極(5)的鉑薄膜厚度為80nm。
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