[實用新型]一種修調電阻有效
| 申請號： | 201220728878.3 | 申請日： | 2012-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN203179876U | 公開（公告）日： | 2013-09-04 |
| 發明（設計）人： | 楊彥濤;陳文偉;劉慧勇;韓健;江宇雷;雷輝 | 申請（專利權）人： | 杭州士蘭集成電路有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/525 | 分類號： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭州*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 電阻 | ||
1.一種修調電阻，包括：?
一半導體襯底；?
一介質層，形成于所述半導體襯底上；?
一修調熔絲，由熔絲淀積形成于所述介質層上，所述修調熔絲具有一熔斷區域和兩端，所述熔斷區域中具有改變電流密度大小的修調結構以及在所述修調熔絲的兩端分別具有一連接墊；?
一鈍化層，形成在所述修調熔絲和介質層上，所述鈍化層具有對應所述修調結構的修調窗口和分別具有對應所述連接墊的一壓點窗口。?
2.如權利要求1所述的修調電阻，其特征在于，所述修調結構為彎曲形狀。?
3.如權利要求2所述的修調電阻，其特征在于，所述彎曲形狀的寬度與除所述彎曲形狀以外的熔斷區域的寬度相同或變窄。?
4.如權利要求3所述的修調電阻，其特征在于，當所述彎曲形狀的寬度變窄時，所述彎曲形狀以外的熔斷區域的寬度大于所述彎曲形狀的寬度的1.5倍。?
5.如權利要求4所述的修調電阻，其特征在于，所述彎曲形狀為至少一個拐角，以每個所述拐角為分界點的兩邊熔絲的夾角為1-179度。?
6.如權利要求5所述的修調電阻，其特征在于，以所述拐角為分界點的兩邊熔絲的寬度相同或不相同。?
7.如權利要求4所述的修調電阻，其特征在于，所述彎曲形狀為至少一弧形，每段所述弧形為圓弧形或橢圓弧形的弧度為1-359度。?
8.如權利要求4所述的修調電阻，其特征在于，所述介質層具有至少一階梯，覆蓋于每個所述階梯上的所述彎曲形狀為一臺階。?
9.如權利要求8所述的修調電阻，其特征在于，所述臺階的高度大于等于所述熔絲厚度的0.1倍。?
10.如權利要求6、7或9所述的修調電阻，其特征在于，所述修調窗口涵蓋住所述熔斷區域，所述修調窗口的形狀與熔斷區域的形狀相同或不同。?
11.如權利要求10所述的修調電阻，其特征在于，所述修調窗口的形狀與熔斷區域的形狀相同時，所述修調窗口大小大于等于熔斷區域的兩倍。?
12.如權利要求1所述的修調電阻，其特征在于，所述介質層為單層介質層或復合介質層。?
13.如權利要求1所述的修調電阻，其特征在于，所述介質層的厚度為?
14.如權利要求1所述的修調電阻，其特征在于，所述熔絲采用的材料為多晶硅時，所述熔絲的厚度為
15.如權利要求1所述的修調電阻，其特征在于，所述熔絲采用的材料為金屬時，所述金屬采用的材料為形成在所述修調電阻上用于布線連接的金屬鋁、銅、鋁合金或鋁銅合金，所述熔絲的厚度為
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