[實用新型]一種低噪聲放大電路及具有該電路的低噪聲放大器

有效

• 申請號: 201220728689.6
• 申請日: 2012-12-26
• 公開（公告）號: CN203104364U
• 公開（公告）日: 2013-07-31
• 發明（設計）人: 黃維權;蔣黎軍
• 申請（專利權）人: 深圳市凌啟電子有限公司
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26
• 代理公司: 深圳市深佳知識產權代理事務所(普通合伙) 44285
• 代理人: 唐華明

一種低噪聲放大電路，其特征在于，包括：MOS晶體管M1、源簡并電感L_S、輸入匹配網絡、輸出匹配網絡、電流鏡電路、隔直電容C_C和限流電阻R_d，其中：

所述MOS晶體管M1作為放大器件按照共源結構連接，所述MOS晶體管M1的源極通過源簡并電感L_S接地，所述源簡并電感L_S提供的串聯負反饋效應使MOS管柵極的輸入阻抗等于或近似等于噪聲最優源阻抗的共軛；

所述輸入匹配網絡的一端與所述MOS晶體管M1的柵極相連，另一端通過所述隔直電容C_C與信號源V_S相連接；

所述電流鏡電路的一端與電源V_dd相連接，另一端與所述輸入匹配網絡和所述隔直電容C_C的連接點相連接；

所述輸出匹配網絡的一端與所述MOS晶體管的漏極相連，另一端通過負載電阻R_L接地；

所述限流電阻R_d的一端與所述輸出匹配網絡相連，另一端與所述電源V_dd相連接。

根據權利要求1所述的低噪聲放大電路，其特征在于，所述輸入匹配網絡和所述輸出匹配網絡為L型、T型或π型輸入輸出匹配網絡。

根據權利要求2所述的低噪聲放大電路，其特征在于，所述L型輸入匹配網絡包括：電容C₁和電感L₁，其中：

所述電容C₁和所述電感L₁的連接端與所述MOS晶體管M1的柵極相連，所述電容C₁的另一端接地，所述電感L₁的另一端通過所述隔直電容C_C與所述信號源V_S相連接。

根據權利要求2所述的低噪聲放大電路，其特征在于，所述L型輸出匹配網絡包括：電容C₂和電感L_d，其中：

所述電容C₂和所述電感L_d的連接端與所述MOS晶體管M1的漏極相連，所述電容C₂的另一端通過所述負載電阻R_L接地，所述電感L_d的另一端與所述限流電阻R_d相連。

根據權利要求1所述的低噪聲放大電路，其特征在于，所述電流鏡電路包括MOS晶體管M2、電阻R₁及電阻R₂，其中：

所述MOS晶體管M2的柵極和漏極相連，所述MOS晶體管M2的源極接地；

所述電阻R₁的一端與所述電源Vdd相連，另一端與所述MOS晶體管M2的漏極相連；

所述電阻R₂的一端與MOS晶體管M2的柵極相連，另一端與所述輸入匹配網絡相連接；

所述隔直電容C_C的一端與所述輸出匹配網絡和所述電阻R₂的連接點相連，另一端與所述信號源V_S相連接。

一種低噪聲放大器，其特征在于，包括上述權利要求1?5中任意一項所述低噪聲放大電路。