[實用新型]一種LED外延結構的生長設備有效
| 申請號： | 201220728527.2 | 申請日： | 2012-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN203150596U | 公開（公告）日： | 2013-08-21 |
| 發明（設計）人： | 林翔 | 申請（專利權）人： | 光達光電設備科技（嘉興）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304 | 代理人： | 楊林;馬翠平 |
| 地址： | 314300 浙江省海鹽*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 led 外延 結構 生長 設備 | ||
【權利要求書】：
1.一種LED外延結構的生長設備，其包括第一反應腔、第二反應腔和連接所述第一反應腔與所述第二反應腔的轉移通道，其特征在于：所述第一反應腔用于在生長有第一半導體層的基底上生長量子阱層；并用于在所述量子阱層上生長用于防止所述量子阱層受污染的隔離層；所述第二反應腔用于刻蝕隔離層后生長第二半導體層。?
2.根據權利要求1所述LED外延結構的生長設備，其特征在于，所述生長設備還包括與所述轉移通道連接的保護氣體源，所述保護氣體源用于向所述轉移通道填充保護氣體。?
3.根據權利要求2所述LED外延結構的生長設備，其特征在于，當所述轉移通道與所述任一反應腔連通時，保護氣體壓強不高于所述任一反應腔內的壓強。?
4.根據權利要求3所述LED外延結構的生長設備，其特征在于，所述生長設備還包括與所述轉移通道連接的氣體壓強控制器，所述氣體壓強控制器用于控制所述保護氣體壓強為20～40千帕。?
5.根據權利要求2或3或4所述LED外延結構的生長設備，其特征在于，所述保護氣體為N2或NH3。?
6.根據權利要求2或3所述LED外延結構的生長設備，其特征在于，所述生長設備還包括與所述轉移通道連接的溫度控制器，所述溫度控制器用于控制所述轉移通道的工作溫度為400～600℃。?
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