[實用新型]一種雙面受光太陽電池有效
| 申請號: | 201220727652.1 | 申請日: | 2012-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN203103335U | 公開(公告)日: | 2013-07-31 |
| 發明(設計)人: | 胡海平;班群;方結彬;何達能;陳剛 | 申請(專利權)人: | 廣東愛康太陽能科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/068 | 分類號: | H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/0216 |
| 代理公司: | 廣州三環專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 顏希文 |
| 地址: | 528100 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 雙面 太陽電池 | ||
一種雙面受光太陽電池,所述太陽電池采用P型硅片為硅襯底作為所述太陽電池的基區,其特征在于,所述硅襯底的前表面由內至外依次設有發射極、前鈍化及減反射層和前電極,所述硅襯底的背表面設有硼背場、背鈍化及減反射層和背電極。
如權利要求1所述的雙面受光太陽電池,其特征在于,所述背鈍化及減反射層為電介質薄膜和氮化硅薄膜形成的復合層。
如權利要求2所述的雙面受光太陽電池,其特征在于,所述電介質薄膜設于所述硼背場上,所述氮化硅薄膜設于所述電介質薄膜上。
如權利要求2所述的雙面受光太陽電池,其特征在于,所述電介質薄膜為二氧化硅層。
如權利要求4所述的雙面受光太陽電池,其特征在于,所述二氧化硅層的厚度為5nm?80nm。
如權利要求2所述的雙面受光太陽電池,其特征在于,所述電介質薄膜為三氧化二鋁層。
如權利要求6所述的雙面受光太陽電池,其特征在于,所述三氧化二鋁層的厚度為5nm?50nm。
如權利要求1所述的雙面受光太陽電池,其特征在于,所述硼背場的厚度為0.5um?5um。
如權利要求1所述的雙面受光太陽電池,其特征在于,所述前鈍化及減反射層為氮化硅薄膜。
如權利要求1所述的雙面受光太陽電池,其特征在于,所述發射極為N型發射極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





