[實用新型]一種光罩有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220727514.3 | 申請日: | 2012-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN203012348U | 公開(公告)日: | 2013-06-19 |
| 發(fā)明(設計)人: | 王小峰 | 申請(專利權)人: | 頎中科技(蘇州)有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/38 | 分類號: | G03F1/38 |
| 代理公司: | 蘇州威世朋知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 楊林潔 |
| 地址: | 215021 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 | ||
技術領域
本實用新型涉及半導體集成電路封裝技術領域,尤其涉及半導體封裝過程中的光罩。
背景技術
在半導體產(chǎn)業(yè)中,芯片的生產(chǎn)主要分為電路的制作和芯片的封裝測試這兩個階段。
而芯片的封裝必須要借助芯片表面的凸塊才能達成結合的目的,而在凸塊的形成過程中,光罩(mask)是必不可少的。
?在電鍍過程中,先在晶圓上鍍上一層凸塊底緩沖金屬層(Under?Bump?Metallurgy,簡稱UBM),UBM主要的作用在于加強凸塊的附著力。
在完成UBM制程后,下一步即是進入黃光制程。首先在UBM制程后的晶圓上涂布一層具有感光效果的光阻層,再以光罩進行顯影,顯影完成后進行蝕刻步驟挖出凸塊窗口(Bump)所欲形成部分的孔洞,此部分只留下內部UBM。
在此過程中,光罩上挖出若干欲形成的凸塊窗口,但經(jīng)過烘烤后,各凸塊窗口交錯部分會發(fā)生變形,無法得到理想的凸塊形狀。
因此有必要提供一種新的光罩來解決上述問題。
實用新型內容
本實用新型涉及一種半導體封裝過程中的光罩,其可以避免在烘烤后變形的問題。
為達到上述實用新型目的,本實用新型提供了一種光罩,其上有若干交錯的凸塊窗口,其中所述若干凸塊窗口的交錯部分呈增大狀。
作為本實用新型的進一步改進,所述凸塊窗口的交錯部分為線性增大。
作為本實用新型的進一步改進,所述對交錯部分開窗從中間處向交錯部分的一端線性增大。
采用本實用新型的設置,在光罩線性增大的交錯部分,在高溫烘烤發(fā)生變形后,會得到所需開窗的尺寸,解決了現(xiàn)有的常規(guī)光罩,在高溫烘烤后無法得到所需開窗尺寸的問題。
附圖說明
為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案,下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的有關本實用新型的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本實用新型之一實施例的光罩示意圖,其中交錯部分開窗從中間處向交錯部分的一端線性增大。
其中,附圖標記為:
光罩,1;凸塊窗口,2。
具體實施方式
以下將結合附圖所示的各實施例對本實用新型進行詳細描述。但這些實施例并不限制本實用新型,本領域的普通技術人員根據(jù)這些實施例所做出的結構、方法、或功能上的變換均包含在本實用新型的保護范圍內。
參圖1示,本實用新型所提供的光罩1,其上設有若干交錯的凸塊窗口2,所述若干窗口2交錯的部分呈增大狀,以補償經(jīng)烘烤后的變形問題。當然優(yōu)選地,所述增大為線性增大,且對交錯部分開窗從中間處向交錯部分的一端線性增大。根據(jù)具體使用場合的不同,線性增大的變化率也不同,這種變化率的確定對于本專業(yè)的技術人員來講屬已知技術,在此不再贅述。
在使用中,欲形成規(guī)則的長方形凸塊,則需在開窗時對凸塊窗口2的交錯部分進行線性增大,該開窗的部分經(jīng)過高溫烘烤后,交錯的開窗部分在會發(fā)生變形,從而在芯片上可形成長方形的凸塊。
本實用新型所提供的光罩,解決了因按照常規(guī)方式開窗,從而造成凸塊形狀不理想的問題,通過對光罩上的凸塊窗口2交錯部分進行線性增大,從而得到理想的凸塊形狀。
應當理解,雖然本說明書按照實施方式加以描述,但并非每個實施方式僅包含一個獨立的技術方案,說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見,本領域技術人員應當將說明書作為一個整體,各實施方式中的技術方案也可以經(jīng)適當組合,形成本領域技術人員可以理解的其他實施方式。
上文所列出的一系列的詳細說明僅僅是針對本實用新型的可行性實施方式的具體說明,它們并非用以限制本實用新型的保護范圍,凡未脫離本實用新型技藝精神所作的等效實施方式或變更均應包含在本實用新型的保護范圍之內。
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G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
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G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





