[實用新型]激光激發(fā)CVD鍍膜設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220725709.4 | 申請日: | 2012-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN203128657U | 公開(公告)日: | 2013-08-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王奉瑾 | 申請(專利權(quán))人: | 王奉瑾 |
| 主分類號: | C23C16/48 | 分類號: | C23C16/48 |
| 代理公司: | 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237 | 代理人: | 張全文 |
| 地址: | 528400 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 激光 激發(fā) cvd 鍍膜 設(shè)備 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型屬于化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種激光激發(fā)CVD鍍膜設(shè)備。
背景技術(shù)
化學(xué)氣相沉積(英文:Chemical?Vapor?Deposition,簡稱CVD)是一種用來產(chǎn)生純度高、性能好的固態(tài)材料的化學(xué)技術(shù)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)使用此技術(shù)來成長薄膜。典型的CVD制程是將晶圓(基底)暴露在一種或多種不同的前驅(qū)物下,在基底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或/及化學(xué)分解來產(chǎn)生欲沉積的薄膜。反應(yīng)過程中通常也會伴隨地產(chǎn)生不同的副產(chǎn)品,但大多會隨著氣流被帶走,而不會留在反應(yīng)腔中。
化學(xué)氣相沉積技術(shù)已在鍍膜領(lǐng)域廣泛運(yùn)用,現(xiàn)有技術(shù)中,工作氣體的加熱方式一般都是使用紅外加熱氣體或加熱待鍍膜材料的方式促進(jìn)氣體的化學(xué)反應(yīng),使用紅外加熱氣體的方式效率低,所鍍出來的膜厚也不均勻,鍍膜表面粗糙,而加熱待鍍膜材料的方式容易損壞材料。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)之缺陷,提供了一種鍍膜效率高、不易損壞待鍍膜材料的激光激發(fā)CVD鍍膜設(shè)備,該設(shè)備所鍍的膜厚均勻、鍍膜表面光滑。
本實用新型是這樣實現(xiàn)的,一種激光激發(fā)CVD鍍膜設(shè)備,包括殼體,該殼體具有密封的CVD腔體,所述CVD腔體內(nèi)安裝有用于噴出工作氣體的噴氣裝置和用于將激光源聚焦于噴氣裝置噴嘴前端的激光聚焦裝置,待鍍膜材料位于所述噴氣裝置的噴嘴前端并與之相對。
進(jìn)一步地,所述CVD腔體內(nèi)安裝有用于驅(qū)動所述噴氣裝置沿所述待鍍膜材料表面平行移動的移動裝置。
更進(jìn)一步地,所述噴氣裝置包括具有所述噴嘴的噴氣架,所述激光聚焦裝置包括聚焦激光源的聚焦頭及用于接駁光纖的光纖接駁管,所述聚焦頭與所述光纖接駁管連接,所述噴氣架設(shè)有引入工作氣體的進(jìn)氣口及用于安裝所述聚焦頭的聚焦頭安裝孔。
具體地,所述噴嘴為細(xì)縫狀,所述聚焦頭安裝孔均勻地并排設(shè)于所述噴嘴兩側(cè)。
優(yōu)選地,所述噴氣架設(shè)有用于固定所述光纖接駁管的固定槽。
特別地,所述移動裝置包括具有螺紋的絲桿及驅(qū)動該絲桿轉(zhuǎn)動的第一電機(jī),所述噴氣架開設(shè)有與所述絲桿的螺紋適配的螺孔,所述絲桿穿設(shè)于所述螺孔內(nèi)。
進(jìn)一步地,所述殼體開設(shè)有供所述待鍍膜材料進(jìn)入所述CVD腔體的進(jìn)料口,所述殼體還開設(shè)有供所述待鍍膜材料離開所述CVD腔體的出料口,所述進(jìn)料口與所述出料口相對設(shè)置且均安裝有密封裝置。
更進(jìn)一步地,所述密封裝置包括彈性按壓于所述待鍍膜材料一面的第一滾筒及彈性按壓于所述待鍍膜材料另一面的第二滾筒。
具體地,所述密封裝置還包括驅(qū)動所述第一滾筒或所述第二滾筒轉(zhuǎn)動的第二電機(jī)。
優(yōu)選地,所述CVD腔體內(nèi)安裝有水冷散熱裝置、用于檢測待鍍膜材料上鍍膜厚度的膜厚監(jiān)控裝置、用于監(jiān)控所述CVD腔體內(nèi)部環(huán)境的視頻監(jiān)控裝置、加熱裝置以及測溫裝置。
本實用新型鍍膜時,激光聚焦裝置將激光源聚焦于噴氣裝置噴嘴前端形成聚焦區(qū)域,噴嘴噴出的工作氣體在聚焦區(qū)域被激光激發(fā)加熱分解,被分解的工作氣體由于慣性擊打并粘附于待鍍膜材料表面上形成鍍膜。由于本實用新型采用激光聚焦的方式對工作氣體進(jìn)行加熱激發(fā),其鍍膜效率高、不易損壞待鍍膜材料、所鍍的膜厚均勻、鍍膜表面光滑。
附圖說明
圖1為本實用新型實施例中激光激發(fā)CVD鍍膜設(shè)備的立體示意圖;
圖2為本實用新型實施例中激光激發(fā)CVD鍍膜設(shè)備的內(nèi)部示意圖;
圖3為圖1中A-A的剖視圖,即本實用新型實施例中激光激發(fā)CVD鍍膜設(shè)備后視剖視圖;
圖4為本實用新型實施例中密封裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖5為本實用新型實施例中安裝有激光聚焦裝置的噴氣裝置立體示意圖;
圖6為本實用新型實施例中噴氣裝置的立體示意圖;
圖7為本實用新型實施例中噴氣裝置另一視角的立體示意圖。
具體實施方式
為了使本實用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實施例,對本實用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型,并不用于限定本實用新型。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的





