[實用新型]用于半導體集成制造生產線中的微型PVD模塊有效
| 申請號: | 201220724489.3 | 申請日: | 2012-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN203128651U | 公開(公告)日: | 2013-08-14 |
| 發明(設計)人: | 王奉瑾 | 申請(專利權)人: | 王奉瑾 |
| 主分類號: | C23C14/54 | 分類號: | C23C14/54;H01L21/67 |
| 代理公司: | 深圳中一專利商標事務所 44237 | 代理人: | 張全文 |
| 地址: | 528400 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 半導體 集成 制造 生產線 中的 微型 pvd 模塊 | ||
技術領域
本實用新型涉及半導體生產設備的設計領域,尤其涉及用于半導體集成制造生產線中的微型PVD模塊。
背景技術
由于半導體集成制造的過程中需要由多個工藝分步完成,如清洗處理、干燥處理、隔離處理、PVD鍍膜等等,且每一工藝步驟均需要在密閉的環境下進行,對此現有技術中通常采用集成密封制造系統,使每一步工藝在同一密閉的環境下進行。在整個半導體集成制造過程中,PVD鍍膜是半導體成型的核心步驟。PVD指利用物理過程實現物質轉移,將原子或分子由源轉移到基板表面上的過程。在目前的半導體制造過程中,PVD鍍膜技術的基本方法有真空蒸發、真空濺射和真空離子鍍膜的方法。真空蒸發是指將膜材置于真空室內的蒸發源中,在高真窒條件下,通過蒸發加熱使其蒸發,當蒸汽分子的平均自由程大于真空室的線性尺寸后,蒸汽狀態下的原子和分子從蒸發源表面逸出后,很少受到其他分子或原子的沖擊與阻礙,可直接到達被鍍的基板表面上,由于基板溫度較低,便凝結于其上而形成鍍膜?,F有技術中,半導體集成制造系統的每一工藝流程均需在密閉的環境下進行,當完成一工藝流程后,需將半導體半成本取出,以進行下一步的工藝處理,但其對取出后的空間真空度要求較高,因此造成半導體集成制造設備制造困難,廠房的規模巨大。廠家投資建廠一方面需承擔前期大量的資金投入,另一方面通常建設一半導體集成制造系統需要數年的時間,可見目前建設一半導體集成制造系統資金投入量大且時間久,且容易造成廠家資金周轉的困難。
實用新型內容
本實用新型的目的在于克服現有技術之缺陷,旨在提供用于半導體集成制造生產線中的微型PVD模塊以實現半導體生產設備中的PVD機構實現模塊化設計。
本實用新型是這樣實現的,用于半導體集成制造生產線中的微型PVD模塊,包括一殼體,所述殼體橫向兩側分別設有供傳輸帶通過的入口和出口,且所述傳輸帶將所述殼體分隔成上腔與下腔,所述殼體之入口和出口處分別設有動態夾持所述傳輸帶的滾筒組,各所述滾筒組包括貼設于傳輸帶上側的上滾筒和貼設于傳輸帶下側的下滾筒,所述殼體上還設有驅動所述滾筒組運轉的第一伺服電機,所述下腔的側壁開設有連接抽氣裝置的排氣孔,所述排氣孔設有與之適配的排氣控制閥,所述下腔內設有移動靶材裝置,所述下腔于所述傳輸帶與所述靶材裝置之間設有加速電磁場,該微型PVD模塊還包括PVD控制系統,所述PVD控制系統包括設于所述上腔內并實時監測所述上腔內氣壓的氣壓計,還包括測定所述殼體內表面溫度、測定所述靶材裝置溫度及測定放置于所述傳輸帶上的半導體基板的溫度的溫度檢測裝置,還包括控制所述第一伺服電機、所述排氣控制閥、靶材裝置及加速電磁場工作狀態的控制器,所述控制器分別與所述第一伺服電機、排氣控制閥、靶材裝置、加速電磁場、氣壓計及溫度檢測裝置電連接。
具體地,所述靶材裝置包括用于盛裝靶材的加熱鍋、固接于所述加熱鍋上的加熱裝置及一轉動的絲桿,所述加熱鍋或加熱裝置設有與所述絲桿適配的螺紋孔。
具體地,所述靶材裝置還包括設于所述殼體側壁并驅動所述絲桿轉動的第二伺服電機,所述第二伺服電機與所述控制器電連接。
具體地,所述加速磁場包括兩分別設置于所述下腔內側壁的電磁鐵。
具體地,所述殼體由外至內依次包括鋁殼外層、硅橡膠絕熱層及不銹鋼內層。
具體地,所述殼體包括相互扣合的上蓋與下蓋,所述上蓋與所述傳輸帶及上滾筒圍合成所述上腔,所述下蓋與所述傳輸帶及下滾筒圍合成所述下腔,所述上蓋與下蓋的橫向側之間具有形成所述入口和出口的間隙,所述上蓋與下蓋的縱向側之間設有公母槽連接結構,所述公母槽內設有密封膠條。
具體地,各所述上滾筒和下滾筒的表面設有彈性層,各所述上滾筒和下滾筒的兩端部表面相互接觸且過盈配合,各所述上滾筒和下滾筒之間具有供所述傳輸帶通過的間隙,且各所述上滾筒和下滾筒與所述傳輸帶之間過盈配合。
具體地,所述殼體內設有分別支撐各所述上滾筒和下滾筒的上支撐塊和下支撐塊,各所述上支撐塊設有部分收容所述上滾筒的弧形收容槽,所述下支撐塊設有部分收容所述下滾筒的弧形收容槽,各所述弧形收容槽分別與各所述上滾筒和下滾筒過盈配合,且各所述上支撐塊和下支撐塊與所述殼體密封連接。
具體地,各所述上支撐塊與下支撐塊內設循環冷卻槽,所述循環冷卻槽與外部的水冷系統連接。
具體地,各所述上支撐塊兩端設有軸承,各所述上滾筒的兩端安裝于所述軸承內,且各所述上支撐塊與所述殼體于豎直方向上滑動連接,各所述上支撐塊上側及所述殼體頂部之間設有彈簧,所述彈簧壓設于所述上支撐塊與所述殼體頂部之間。
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