[實用新型]新型太陽能電池背膜有效
| 申請號: | 201220724338.8 | 申請日: | 2012-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN203085594U | 公開(公告)日: | 2013-07-24 |
| 發明(設計)人: | 魏陸平 | 申請(專利權)人: | 浙江晟藍新材料有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048;B32B27/36 |
| 代理公司: | 浙江永鼎律師事務所 33233 | 代理人: | 陸永強 |
| 地址: | 311817 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 新型 太陽能電池 | ||
技術領域
本實用新型屬于新能源技術領域,涉及太陽能利用,尤其是涉及一種新型太陽能電池背膜。
背景技術
太陽能電池板通常是一個疊層結構,主要包括玻璃表層、EVA密封層、太陽能電池片、EVA密封層和太陽能電池背膜。其中太陽能電池片被兩層EVA密封層密封包裹。太陽能電池背膜的主要作用是提高太陽能電池板的整體機械強度,另外可以防止水汽滲透到密封層中,影響電池片的使用壽命。
為了提高背膜的整體性能,現有技術中出現了大量針對背膜進行改進的方案。例如,中國專利文獻公開了一種用于太陽能電池的背膜[申請號:200820133533],其特征在于:其為五層結構,包括依次覆合在一起的硅鈦化成膜層、基層、硅鈦化成膜層、氟基膜層和硅鈦化成膜層。該方案具有高粘結性、且具有高耐候性、耐化學性、高的電氣絕緣性能,高的防水性。
盡管上述方案在各方面性能上有所提高,但是整個背膜的層數較多,結構較為復雜,制造難度較大,且成產成本高。
發明內容
本實用新型的目的是針對上述問題,提供一種設計合理,結構簡單,易于加工制造,性能穩定可靠,使用壽命長的新型太陽能電池背膜。
為達到上述目的,本實用新型采用了下列技術方案:本新型太陽能電池背膜,包括呈片狀的中間膜層,其特征在于,所述的中間膜層的一面設有由丙烯酸涂料涂布而成的丙烯酸層,所述的中間膜層的另一面設有由氟涂料涂布而成的氟涂料層。
在上述的新型太陽能電池背膜中,所述的中間膜層由PET材料制成,所述的氟涂料層由PVDF涂布而成。
在上述的新型太陽能電池背膜中,所述的丙烯酸層的厚度不小于10μm。
與現有的技術相比,本新型太陽能電池背膜的優點在于:1、設計合理,采用較少的制造材料,卻大幅提升了各項性能指標。2、具有很好的抗紫外性、高耐候性、耐化學性、電氣絕緣性能好、防水防油性強,熱穩定性高。3、易于加工制造,生產成本低。
附圖說明
圖1是本實用新型提供的結構示意圖。
圖中,中間膜層1、丙烯酸層2、氟涂料層3。
具體實施方式
如圖1所示,本新型太陽能電池背膜包括呈片狀的中間膜層1,中間膜層1的一面設有由丙烯酸涂料涂布而成的丙烯酸層2,中間膜層1的另一面設有由氟涂料涂布而成的氟涂料層3。
中間膜層1由PET材料制成,氟涂料層3由PVDF涂布而成。丙烯酸層2的厚度不小于10μm。
丙烯酸層厚度干燥后達到1μm時起到增加PET和EVA的結合力;丙烯酸層厚度干燥后達到5μm時它有很好的抗UV、抗水、抗溶劑、抗氣候等效果;丙烯酸層在涂布超過10μm時它有很好的抗UV,抗水、抗溶劑、抗氣候等效果。
本文中所描述的具體實施例僅僅是對本實用新型精神作舉例說明。本實用新型所屬技術領域的技術人員可以對所描述的具體實施例做各種各樣的修改或補充或采用類似的方式替代,但并不會偏離本實用新型的精神或者超越所附權利要求書所定義的范圍。
盡管本文較多地使用了中間膜層1、丙烯酸層2、氟涂料層3等術語,但并不排除使用其它術語的可能性。使用這些術語僅僅是為了更方便地描述和解釋本實用新型的本質;把它們解釋成任何一種附加的限制都是與本實用新型精神相違背的。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于浙江晟藍新材料有限公司,未經浙江晟藍新材料有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201220724338.8/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種提高燃油注汽鍋爐燃燒效率的配風結構
- 下一篇:多功能便攜折疊梯
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





