[實用新型]集成NAND FLASH閃存功能的EMMC存儲器

有效

• 申請號: 201220722299.8
• 申請日: 2012-12-25
• 公開（公告）號: CN203038913U
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 王樹鋒;劉紀文
• 申請（專利權）人: 深圳市晶凱電子技術有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L25/065
• 代理公司: 深圳市睿智專利事務所 44209
• 代理人: 陳鴻蔭;黃宇燕

技術領域????本實用新型涉及半導體器件，尤其涉及集成NAND?FLASH閃存功能的EMMC存儲器。

背景技術???現有技術內嵌式存儲器EMMC?(Embedded?Multimedia?Card)是珠狀陣列BGA?（Ball?Grid?Array）封閉器件。所述EMMC存儲器包括單層雙面板PCB以及綁定于其上的閃存晶片和控制芯片，即采有用金屬導線將晶片和控制晶片上的各電連接點與位于PCB上表面的閃存晶片焊盤和控制晶片焊盤一一對應地焊接，再用環氧樹脂封裝料模制密封為封裝殼；在PCB下表面分布有符合EMMC標準的焊盤上置入錫球，形成球形的焊接腳，繼而生產出符合EMMC標準的存儲器。

現有技術EMMC存儲器的功能單一，因其主要應用于高端產品，因此該類存儲器的測試嚴格、成品率低，應用范圍窄，不能通過EMMC標準測試的此類EMMC存儲器只能報廢、利用率低，成本高。

實用新型內容??本實用新型要解決的技術問題在于避免上述現有技術的不足之處而設計生產一種集成NAND?FLASH閃存功能的EMMC存儲器，解決EMMC存儲器的功能單一，應用范圍窄等問題。

本實用新型為解決上述技術問題而提出的技術方案是，一種集成NAND?FLASH閃存功能的EMMC存儲器，包括單層雙面的PCB基板以及基于其上的NAND?FLASH閃存晶片和EMMC控制晶片，所述NAND?FLASH閃存晶片和EMMC控制晶片容置于環氧樹脂材質的封裝殼內；所述NAND?FLASH閃存晶片和EMMC控制晶片分別通過金屬導線與基板上表面的閃存晶片焊和控制晶片焊盤一一對應地焊接；特別是，所述基板下表面分布著置入錫球的EMMC焊接腳和閃存焊接腳；所述各球形EMMC焊接腳一一對應地與所述各閃存晶片焊盤和控制晶片焊盤電連接；所述各閃存焊接腳與所述各閃存晶片焊盤一一對應地電連接。

????所述各EMMC焊接腳和閃存焊接腳是分塊排布或交錯排布的。

同現有技術相比，本實用新型的有益效果是：本發明的EMMC存儲既能有EMMC存儲器功能也有NAND?FLASH閃存功能，擴大了該器件的應用范圍；特別是能有效利用不符合EMMC標準的此類存儲器NAND?FLASH閃存功能，使得物盡其用，變廢為寶，有效降低了成本。

附圖說明????圖1?是本實用新型集成NAND?FLASH閃存功能的EMMC存儲器之優選實施例中所述EMMC存儲器的主視剖視圖；???

圖2是所述優選實施例中所述EMMC存儲器被封裝前的俯視示意圖；

圖3?是所述優選實施例中所述EMMC存儲器的仰視示意圖，其中置入錫球的

??????????EMMC焊接腳240和閃存焊接腳210是分塊排布；

圖4?是所述優選實施例中所述EMMC存儲器的仰視示意圖，其中置入錫球的EMMC焊接腳240和閃存焊接腳210是交錯塊排布。

具體實施方式????下面，結合附圖所示之優選實施例進一步闡述本實用新型。

參見圖1至4，本實用新型之優選實施例是，一種集成NAND?FLASH閃存功能的EMMC存儲器，包括單層雙面的PCB基板2以及基于其上的NAND?FLASH閃存晶片1和EMMC控制晶片4，所述NAND?FLASH閃存晶片1和EMMC控制晶片3容置于環氧樹脂材質的封裝殼3內；所述NAND?FLASH閃存晶片1和EMMC控制晶片4分別通過金屬導線5與基板2上表面的閃存晶片焊盤21和控制晶片焊盤24一一對應地焊接；所述基板2下表面分布著置入錫球的EMMC焊接腳240和閃存焊接腳210；所述各EMMC焊接腳240一一對應地與所述各閃存晶片焊盤21和控制晶片焊盤24電連接，即而令各EMMC焊接腳240與所述NAND?FLASH閃存晶片1和EMMC控制晶片4電聯接；所述各閃存焊接腳210與所述各閃存晶片焊盤21一一對應地電連接，也即使各閃存焊接腳210與閃存晶片2電連接，使得該EMMC存儲器既能有EMMC存儲器功能也有NAND?FLASH閃存功能，使用者可按需選擇使用。同時，對那些不符合EMMC標準的EMMC存儲器直接作為NAND?FLASH閃存IC使用，提高利用率，降低成本。

????根據使用的需要，所述各EMMC焊接腳240和閃存焊接腳210是分塊排布或交錯排布的，如圖3所示，閃存焊接腳210是按圖中虛線A所示集中按塊分布；也可以如圖4所示，所述閃存焊接腳210與所述各EMMC焊接腳240交錯排布。

上述過程為本實用新型優選實現過程，本領域的技術人員在本實用新型基本上進行的通常變化和替代包含在本實用新型的保護范圍之內。