[實用新型]一種改進壓焊結構的半導體激光器有效

申請號：	201220721626.8	申請日：	2012-12-24
公開（公告）號：	CN203150900U	公開（公告）日：	2013-08-21
發明（設計）人：	崔碧峰;計偉;陳京湘;郭偉玲;張松;王曉玲	申請（專利權）人：	北京工業大學
主分類號：	H01S5/02	分類號：	H01S5/02
代理公司：	北京思海天達知識產權代理有限公司 11203	代理人：	劉萍
地址：	100124 ***	國省代碼：	北京;11
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種改進結構半導體激光器
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【權利要求書】：

1.一種改進壓焊結構的半導體激光器，其特征在于：依次包括襯底、N型限制層、N型波導層、多量子阱有源區、P型波導層、P型限制層、P型歐姆接觸層構成的外延片結構；且利用濕法腐蝕將外延片兩側腐蝕P型歐姆接觸層到P型限制層，深度范圍為：400nm-600nm，從而形成脊形臺，在半導體激光器芯片背面脊形臺兩側對應的位置腐蝕出壓焊點。?

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