[實用新型]一種三維立體多芯片組件板間寬帶過渡結構

有效

• 申請號: 201220720159.7
• 申請日: 2012-12-21
• 公開（公告）號: CN203013713U
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 王磊;嚴偉;吳金財
• 申請（專利權）人: 東南大學;中國電子科技集團公司第十四研究所
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

1.一種三維立體多芯片組件板間寬帶過渡結構，其特征在于，該結構包括環氧樹脂制成的三維組件模塊（1）、封裝在所述三維組件模塊（1）內的上層電路板（2）和下層電路板（3）、敷設在所述三維組件模塊（1）表面的金屬層（4）、在所述金屬層（4）上刻蝕出的共面波導（5），所述上層電路板（2）平行設置于下層電路板（3）的上方，所述共面波導（5）豎向設置在三維組件模塊（1）的側面且垂直于上層電路板（2）和下層電路板（3）；

所述上層電路板（2）下側設置有上層微帶線地（21）、上側設置有上層微帶線導帶（22），所述上層微帶線地（21）一端設置有缺口（23），所述下層電路板（3）下側設置有下層微帶線地（31）、上側設置有下層微帶線導帶（32），所述共面波導（5）包括位于三維組件模塊（1）側面的共面波導中心導帶（51）和位于所述共面波導中心導帶（51）兩側的共面波導地（52），所述共面波導地（52）與共面波導中心導帶（51）之間由兩條槽線隔開，共面波導中心導帶（51）的下端與下層微帶線導帶（32）短接，上端與上層微帶線導帶（22）連接，并隔著缺口（23）與上層微帶線地（21）的一端相對。

2.根據權利要求1所述的三維立體多芯片組件板間寬帶過渡結構，其特征在于，所述共面波導地（52）分別與上層微帶線地（21）和下層微帶線地（31）連接。

3.根據權利要求1或2所述的三維立體多芯片組件板間寬帶過渡結構，其特征在于，所述共面波導中心導帶（51）的寬度比上層微帶線導帶（22）和下層微帶線導帶（32）的寬度都要大。

4.根據權利要求1所述的三維立體多芯片組件板間寬帶過渡結構，其特征在于，所述共面波導中心導帶（51）和共面波導地（52）上均刻蝕有無源電路。