[實用新型]一種用于觸摸屏的ITO膜有效
| 申請號: | 201220718827.2 | 申請日: | 2012-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN203602703U | 公開(公告)日: | 2014-05-21 |
| 發明(設計)人: | 沈國陽 | 申請(專利權)人: | 南昌歐菲光科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/08 | 分類號: | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司: | 南昌新天下專利商標代理有限公司 36115 | 代理人: | 施秀瑾 |
| 地址: | 330000 江西*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 觸摸屏 ito | ||
技術領域
本實用新型涉及一種用于觸摸屏的ITO膜,屬于電子屏幕的技術領域。
背景技術
ITO(Indium?Tin?Oxides,銦錫金屬氧化物),作為一種典型的N型氧化物半導體被廣泛地運用在手機、MP3、MP4、數碼相機等領域。
制備ITO鍍膜的方法有很多,一般為ITO粉體通過氣相沉積法將ITO沉積到玻璃、金屬等基體表面,形成一薄膜層。?
發明內容
為了克服上述缺陷,本實用新型的目的在于提供一種有利于工業化、連續化生產的需要的用于觸摸屏的ITO膜。
為了達到上述目的,本實用新型采用如下技術方案:一種用于觸摸屏的ITO膜,該膜包括透明基體和鍍覆在所述透明基體上的膜層,所述膜層包括自透明基體上表面依次向上排列的底層、中間層和第一面層。
所述底層、中間層和第一面層均為單層結構。
所述透明基體的厚度為50-188μm,所述透明基體為聚對苯二甲酸乙二醇酯或聚亞胺。
所述底層為SiO2或Al2O3;所述中間層為Si3N4或Nb2O5;所述第一面層為ITO層。
本實用新型的有益效果:
本實用新型率先采用真空磁控濺射法制備柔性ITO薄膜,通過磁控濺射將ITO薄膜沉積在柔性基體上,再通過貼合等技術至基體上。由此方法制備的ITO薄膜不僅附著力好,性能優異,而且有利于工業化連續生產,大大提高了生產效率,為工業化生產的首選。?
附圖說明
圖1為本實用新型的結構示意圖。
具體實施方式
下面結合附圖對本實用新型進行詳細說明:
一種用于觸摸屏的ITO膜,該膜包括透明基體1和鍍覆在所述透明基體上的膜層,所述膜層包括自透明基體1上表面依次向上排列的底層2、中間層3和第一面層4。
所述底層2、中間層3和第一面層4均為單層結構。
所述透明基體1的厚度為50-188μm,所述透明基體1為聚對苯二甲酸乙二醇酯或聚亞胺。
所述底層2為SiO2或Al2O3;所述中間層3為Si3N4或Nb2O5;所述第一面層4為ITO層。
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