[實用新型]TFT陣列基板及顯示裝置有效
| 申請號： | 201220717759.8 | 申請日： | 2012-12-21 |
| 公開（公告）號： | CN202948925U | 公開（公告）日： | 2013-05-22 |
| 發明（設計）人： | 薛艷娜;王磊;薛海林;郭建 | 申請（專利權）人： | 北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/12 | 分類號： | H01L27/12;G02F1/1343;G02F1/1368;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | tft 陣列 顯示裝置 | ||
1.一種TFT陣列基板，包括設置在基板上的包括柵極的圖案，柵絕緣層圖案，包括有源層的圖案，包括源漏電極的圖案，包括第一電極的圖案，其特征在于，還包括：
通過一次構圖工藝形成的位于所述柵絕緣層圖案上的第一過孔以及位于所述包括有源層的圖案上的第二過孔；所述包括柵極的圖案至少包括柵極和柵極走線，所述第一過孔與所述第二過孔對應位置相重合，均位于所述柵極走線的上方。
2.根據權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述包括有源層的圖案位于所述柵極、所述柵絕緣層的第一過孔周邊區域的上方以及所述源漏電極的下方。
3.根據權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，還包括：鈍化層圖案和包括第二電極的圖案。
4.根據權利要求3所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述包括源漏電極的圖案至少包括源漏電極以及覆蓋所述第一過孔和所述第二過孔的連接金屬層。
5.根據權利要求4所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述鈍化層圖案包括鈍化層過孔。
6.根據權利要求5所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述包括第二電極的圖案至少包括第二電極以及覆蓋所述鈍化層過孔的連接電極。
7.根據權利要求3所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述包括第一電極的圖案和所述包括第二電極的圖案同層設置，所述包括第一電極的圖案包含多個第一條形電極，所述包括第二電極的圖案包含多個第二條形電極，所述第一條形電極和所述第二條形電極間隔設置。
8.根據權利要求3所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述包括第一電極的圖案和所述包括第二電極的圖案異層設置，其中位于上層的電極圖案包含多個條形電極，位于下層的電極圖案包含多個條形電極或為平板形。
9.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1～8任一項所述的陣列基板。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
