[實用新型]電子束泵浦式紫外發(fā)光管殺菌系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220712218.6
• 申請日: 2012-12-20
• 公開（公告）號: CN203169629U
• 公開（公告）日: 2013-09-04
• 發(fā)明（設計）人: 張學淵;趙健;梁忠輝;鐘偉杰;唐偉;夏忠平
• 申請（專利權）人: 上海顯恒光電科技股份有限公司
• 主分類號: A61L2/10
• 分類號: A61L2/10;A61L9/20
• 代理公司: 上海精晟知識產(chǎn)權代理有限公司 31253
• 代理人: 何新平

技術領域

本實用新型涉及殺菌領域，具體涉及紫外殺菌領域。

背景技術

紫外光波長比可見光短，但比X射線長的電磁輻射。紫外光在電磁波譜中范圍波長為10-400?nm。這范圍內(nèi)開始于可見光的短波極限，而與長波X?射線的波長相重疊。紫外光被劃分為A?射線、B?射線和C?射線(簡稱UVA、UVB?和UVC)，波長范圍分別為400-315nm，315-280nm，280-190nm。

具有殺菌效果，可以起到殺菌消毒作用。現(xiàn)在紫外線在殺菌方面的應用已經(jīng)較為普及，但是仍然存在光強弱、功耗高、故障率低等不足。

紫外線和可以與光觸媒配合殺菌。通過紫外線激發(fā)光觸媒活性，可以起到良好的殺菌、消毒作用。但是所應用的紫外光源仍然存在光強弱、功耗高、故障率低等不足。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的目的在于，提供一種電子束泵浦式紫外發(fā)光管殺菌系統(tǒng)，解決以上技術問題。

本實用新型所解決的技術問題可以采用以下技術方案來實現(xiàn)：

電子束泵浦式紫外發(fā)光管殺菌系統(tǒng)包括一紫外光源、一氣流通道，所述紫外光源的出光口位于所述氣流通道內(nèi)，其特征在于：

所述紫外光源采用一電子束激發(fā)紫外光源，所述電子束激發(fā)紫外光源包括一電致發(fā)光半導體機構，還包括一激勵源，所述激勵源采用一電子槍系統(tǒng)；

所述電致發(fā)光半導體機構設置在所述電子槍系統(tǒng)的靶向方向上，所述電致發(fā)光半導體機構連接一電極；

所述電子束激發(fā)紫外光源還設有一用于透射出紫外線的出光口。

通過將傳統(tǒng)的紫外殺菌系統(tǒng)中的紫外光源替換為新型的電子束激發(fā)紫外光源，減小設備體積、降低功耗并且提高了特定波段紫外光的純度。電子束激發(fā)紫外光源通過電子束為電致發(fā)光半導體機構提供電流，并通過所述電極形成電流回路。

所述氣流通道內(nèi)還設有光觸媒機構，所述出光口朝向所述光觸媒機構。通過所發(fā)出的紫外線激發(fā)光觸媒機構中的光觸媒活性。

所述氣流通道可以是樓房換氣管道或空調(diào)換氣管道等。

所述電子束泵浦式紫外發(fā)光管殺菌系統(tǒng)還包括一電源系統(tǒng)，所述電源系統(tǒng)設有一蓄電池，和與所述蓄電池連接的充電電路。以便于移動使用。

所述電致發(fā)光半導體機構生成在一反光金屬層上，并所述反光金屬層連接所述電極。所發(fā)出的紫外光線經(jīng)過反射后從出光口射出。

或者，所述電致發(fā)光半導體機構生成在一導電透明基片上，并將所述導電透明基片連接所述電極。所發(fā)出的紫外線經(jīng)過所述導電透明基片透射后，從所述出光口射出。

所述電致發(fā)光半導體機構包含至少兩層層疊的電致發(fā)光半導體層，構成半導體發(fā)光結構。

這些電致發(fā)光半導體層的材料可以是晶格匹配的，也可以是晶格不匹配的。這些電致發(fā)光半導體層可以是有應變的，也可以是沒有應變的。

相鄰的兩層所述電致發(fā)光半導體層為禁帶寬度不同的電致發(fā)光半導體層，從而在新組成的材料的能帶結構上形成單勢能阱或是多勢能阱的結構。以便于提高轉(zhuǎn)換效率和調(diào)控光的波長。這些勢能阱結構有利于約束半導體導帶和價帶上的載流子于特定的能量狀態(tài)上，從而達到提高轉(zhuǎn)換效率的目的。

所述半導體發(fā)光結構包括至少兩種不同材質(zhì)的所述電致發(fā)光半導體層，且包含至少三層所述電致發(fā)光半導體層，相鄰的兩層所述電致發(fā)光半導體層為不同材質(zhì)的所述電致發(fā)光半導體層。

具體的可以為：所述半導體發(fā)光結構包括兩種不同材質(zhì)的所述電致發(fā)光半導體層，且包含至少三層所述電致發(fā)光半導體層，相鄰的兩層所述電致發(fā)光半導體層為不同材質(zhì)的所述電致發(fā)光半導體層，即，兩種材質(zhì)的所述電致發(fā)光半導體層交替排列構成層疊式結構。

每層所述電致發(fā)光半導體層的厚度在1納米到50納米。

至少兩層所述電致發(fā)光半導體層層疊構成所述半導體發(fā)光結構，所述半導體發(fā)光結構的厚度大于等于10nm。厚度也可以根據(jù)波段和功率的需要來具體設計。

所述電致發(fā)光半導體機構依次為第一限制層、至少兩層所述電致發(fā)光半導體層、第二限制層，以及所述反光金屬層，所述反光金屬層上設有反光層；所述反光層的反射方向朝向所述出光口；所述第一限制層朝向所述電子槍方向。光線穿過透光的出光口發(fā)射到外界。

所述電致發(fā)光半導體機構還可以是一半導體紫外激光諧振腔，所述半導體紫外激光諧振腔內(nèi)設有半導體結構，所述半導體結構生成在所述襯底上，所述襯上設有一層高禁帶半導體層，所述高禁帶半導體層上生長有另一層禁帶寬度不同的高禁帶半導體層。

選擇禁帶寬度不同的半導體層，從而組成新的結構的能帶結構上形成勢能阱結構。這些勢能阱結構有利于約束半導體導帶和價帶上的載流子于特定的能量狀態(tài)上，從而達到提高轉(zhuǎn)換效率的目的。