[實用新型]電子槍激發電致紫外發光系統有效
| 申請號： | 201220712215.2 | 申請日： | 2012-12-20 |
| 公開（公告）號： | CN203176744U | 公開（公告）日： | 2013-09-04 |
| 發明（設計）人： | 張學淵;趙健;梁忠輝;鐘偉杰;唐偉;夏忠平 | 申請（專利權）人： | 上海顯恒光電科技股份有限公司 |
| 主分類號： | F21K99/00 | 分類號： | F21K99/00 |
| 代理公司： | 上海精晟知識產權代理有限公司 31253 | 代理人： | 何新平 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電子槍 激發 紫外 發光 系統 | ||
1.電子槍激發電致紫外發光系統，所述電子槍激發電致紫外發光系統包括一電致發光半導體機構，還包括一激勵源，其特征在于，所述激勵源采用一電子槍系統；?
所述電致發光半導體機構設置在所述電子槍系統的靶向方向上，所述電致發光半導體機構連接一電極；?
所述電子槍激發電致紫外發光系統還設有一用于透射出紫外線的光出射口。?
2.根據權利要求1所述的電子槍激發電致紫外發光系統，其特征在于：所述電致發光半導體機構包含至少兩層層疊的電致發光半導體層，構成半導體發光結構。?
3.根據權利要求2所述的電子槍激發電致紫外發光系統，其特征在于：所述半導體發光結構包括至少兩種不同材質的所述電致發光半導體層，且包含至少三層所述電致發光半導體層，相鄰的兩層所述電致發光半導體層為不同材質的所述電致發光半導體層。?
4.根據權利要求3所述的電子槍激發電致紫外發光系統，其特征在于：所述半導體發光結構包括兩種不同材質的所述電致發光半導體層，且包含至少三層所述電致發光半導體層，相鄰的兩層所述電致發光半導體層為不同材質的所述電致發光半導體層，即，兩種材質的所述電致發光半導體層交替排列構成層疊式結構。?
5.根據權利要求2所述的電子槍激發電致紫外發光系統，其特征在于：所述電致發光半導體機構依次為第一限制層、至少兩層所述電致發光半導體層、第二限制層，以及反光金屬層，所述反光金屬層上設有反光層；所述反光層的反射方向朝向所述光出射口；所述第一限制層朝向電子槍方向。?
6.根據權利要求1所述的電子槍激發電致紫外發光系統，其特征在于：所述電致發光半導體機構是一半導體紫外激光諧振腔，所述半導體紫外激光諧振腔內設有半導體結構，所述半導體結構生成在襯底上，所述襯底上設有高禁帶半導體層。?
7.根據權利要求6所述的電子槍激發電致紫外發光系統，其特征在于：所述半導體結構包括至少兩種不同材質的所述高禁帶半導體層，且包含至少三層所述高禁帶半導體層，相鄰的兩層所述高禁帶半導體層為不同材質的所述高禁帶半導體層。?
8.根據權利要求7所述的電子槍激發電致紫外發光系統，其特征在于：所述半導體結構包括兩種不同材質的所述高禁帶半導體層，且包含至少三層所述高禁帶半導體層，相鄰的兩層所述高禁帶半導體層為不同材質的所述高禁帶半導體層，即，兩種材質的所述高禁帶半導體層交替排列構成層疊式結構。?
9.根據權利要求8所述的電子槍激發電致紫外發光系統，其特征在于：所述半導體結構中包括至少兩層III-V族半導體材質的高禁帶半導體層。?
10.根據權利要求9所述的電子槍激發電致紫外發光系統，其特征在于：所述半導體結構中包括一層II-VI族半導體材質的高禁帶半導體層。?
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