[實(shí)用新型]直拉法生長單晶熱場的石墨坩堝有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220709097.X | 申請(qǐng)日： | 2012-12-20 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN203049085U | 公開（公告）日： | 2013-07-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 吳亞軍;李宗斌;梁會(huì)寧;胡元慶 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 海潤光伏科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C30B15/10 | 分類號(hào)： | C30B15/10 |
| 代理公司： | 江陰市同盛專利事務(wù)所(普通合伙) 32210 | 代理人： | 唐紉蘭;曾丹 |
| 地址： | 214407 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 直拉法 生長 單晶熱場 石墨 坩堝 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種直拉法生長單晶熱場的石墨坩堝，其特征在于它由四瓣或者四瓣以上相同結(jié)構(gòu)的石墨坩堝單元（1）拼接而成，所述石墨坩堝單元（1）的R角半徑為100~150mm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種直拉法生長單晶熱場的石墨坩堝，其特征在于所述石墨坩堝單元（1）的材質(zhì)為等靜壓石墨材質(zhì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種直拉法生長單晶熱場的石墨坩堝，其特征在于所述石墨坩堝單元（1）為四瓣、五瓣或者六瓣。
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