[實用新型]一種低通高隔離智能射頻開關

有效

• 申請號: 201220709007.7
• 申請日: 2012-12-20
• 公開（公告）號: CN203039658U
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 董恒;陳軍
• 申請（專利權）人: 南京佳立實通信科技有限公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

技術領域

本發明涉及一種低通高隔離智能射頻開關，屬于射頻開關領域。

背景技術

?射頻開關要求在“開”和“關”狀態下的電阻比率非常高。在實際的RF和微波頻率，在與“關”狀態下的電阻并聯的漏源極電容，是影響其性能的最重要的參數。以單刀雙擲開關為例，加上切斷偏置電壓時，隔離和插入損耗的電路可以用一個線性電路模擬器來計算。隨著頻率的增加，漏柵電容的容性電抗很大，開關的性能就會下降。目前存在的問題是尺寸小的場效應晶體管隔離度較好，但是導通性能較差，而大尺寸的場效應晶體管導通性能較好但隔離度較差，射頻開關的導通性能和隔離性能難以平衡。而在一些大功率應用環境中，射頻開關又有著過壓失效的問題。

發明內容

發明目的：本發明提出一種低通高隔離智能射頻開關，能夠兼顧射頻開關的隔離性能和導通性能，并且具備過壓保護功能和靜電保護功能。?

技術方案：本發明采用的技術方案為一種低通高隔離智能射頻開關，包括由多柵場效應晶體管組成的自偏置開關電路，自偏置開關電路的輸出端連接有功率檢測電路，該功率檢測電路在輸出端的功率超過設定值時，發出報警信號。自偏置開關電路的第一偏置電壓源和第二偏置電壓源處設有靜電保護電路，防止開關由于靜電影響而失效。

作為本發明的進一步改進，所述功率檢測電路包括與輸出端連接的第一電阻，第一電阻的另一端連接到第一三極管的集電極，第一電容并聯在第一三極管的集電極和基極之間，第一三極管的基極通過第二十二電阻與直流電壓源連接，第一三極管的發射極與第二電容和第二電阻連接，第二電容和第二電阻的另一端接地，第四電阻和第五電阻串聯，第四電阻的另一端連接到直流電壓源，第三電阻并聯在第一三極管的發射極和第四電阻與第五電阻的公共端之間，報警輸出端連接在第一三極管的發射極。

所述靜電保護電路包括漏極與第一偏置電壓源連接的第二MOS管，漏極與第二MOS管的源極相連接的第三MOS管，第三MOS管的源極接地，第六電阻并聯在第二MOS管的柵極和源極之間，第七電阻并聯在第三MOS管的柵極和漏極之間。

漏極與第二偏置電壓源連接的第四MOS管，漏極與第四MOS管的源極相連接的第五MOS管，第五MOS管的源極接地，第八電阻并聯在第四MOS管的柵極和源極之間，第九電阻并聯在第五MOS管的柵極和漏極之間。

有益效果：本發明通過使用多柵場效應晶體管，實現了射頻開關在隔離性能和導通性能之間的平衡。同時可以給其它電路提供過壓預警信號。

附圖說明

圖1為本發明一種低通高隔離智能射頻開關的電路結構示意圖；

圖2為本發明一種低通高隔離智能射頻開關的S系數仿真結果圖；

圖3為本發明一種低通高隔離智能射頻開關的報警輸出端電壓與輸出端功率變化關系圖。

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施例，進一步闡明本發明，應理解這些實施例僅用于說明本發明而不用于限制本發明的范圍，在閱讀了本發明之后，本領域技術人員對本發明的各種等價形式的修改均落于本申請所附權利要求所限定的范圍。

如圖1所示，本發明低通高隔離智能射頻開關主要包括自偏置開關電路、靜電保護電路和功率檢測電路三個模塊。