[實用新型]觸控電極結構有效
| 申請號： | 201220708966.7 | 申請日： | 2012-12-18 |
| 公開（公告）號： | CN203117930U | 公開（公告）日： | 2013-08-07 |
| 發明（設計）人： | 劉振宇;李祿興 | 申請（專利權）人： | 宸鴻光電科技股份有限公司 |
| 主分類號： | G06F3/041 | 分類號： | G06F3/041 |
| 代理公司： | 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀純 |
| 地址： | 中國臺灣114臺北*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電極 結構 | ||
1.一種觸控電極結構，其特征在于，包括：
一基板，該基板界定有一感測區與一圍繞于該感測區的引線區；
一電極層，設置于該基板上，且該電極層分為一蝕刻區與一非蝕刻區；
一第一防蝕刻光學層，設置于該電極層的非蝕刻區上；
一第二防蝕刻光學層，設置于該第一防蝕刻光學層和該基板上，且該第一防蝕刻光學層與該第二防蝕刻光學層至少裸露部分位于該引線區內的該非蝕刻區的電極層；
一信號引線，設置于該引線區內，且電性連接該裸露的非蝕刻區的電極層。
2.根據權利要求1所述的觸控電極結構，其特征在于，所述電極層上更形成有一保護層，且該保護層設置于該電極層與該第一防蝕刻光學層之間。
3.根據權利要求2所述的觸控電極結構，其特征在于，所述保護層的厚度為至50nm至500nm。
4.根據權利要求2所述的觸控電極結構，其特征在于，所述第一防蝕刻光學層的折射率至少比所述保護層的折射率大0.1。
5.根據權利要求1或4所述的觸控電極結構，其特征在于，所述第二防蝕刻光學層的折射率至少比所述第一防蝕刻光學層的折射率大0.1。
6.根據權利要求1所述的觸控電極結構，其特征在于，所述第二防蝕刻光學層上形成有鏤空區域，所述第一防蝕刻光學層上形成有對應于該鏤空區域的貫穿孔，所述信號引線位于該第二防蝕刻光學層上，且通過該鏤空區域及該貫穿孔電性連接該裸露的非蝕刻區的電極層。
7.根據權利要求1所述的觸控電極結構，其特征在于，所述信號引線設置于該基板上。
8.根據權利要求1所述的觸控電極結構，其特征在于，所述第一防蝕刻光學層的厚度為0.05um至5um。
9.根據權利要求1所述的觸控電極結構，其特征在于，所述第二防蝕刻光學層的厚度為0.05um至5um。
10.根據權利要求1所述的觸控電極結構，其特征在于，所述第一防蝕刻光學層和第二防蝕刻光學層采用可透視的絕緣材料。
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