[實用新型]一種光子晶體定向耦合器

有效

• 申請號: 201220708315.8
• 申請日: 2012-12-20
• 公開（公告）號: CN203191576U
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 崔乃迪;郭進;馮俊波;滕婕;王皖君;周杰;曹國威
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第三十八研究所;合肥公共安全技術研究院
• 主分類號: G02B6/122
• 分類號: G02B6/122
• 代理公司: 安徽匯樸律師事務所 34116
• 代理人: 方榮肖

1.一種光子晶體定向耦合器，其包括基板以及垂直設置在該基板上的若干介質柱，該若干介質柱圍出兩個相互獨立的主波導線缺陷（9）與耦合波導線缺陷（10），主波導線缺陷（9）與耦合波導線缺陷（10）之間間隔有至少一排介質柱，其特征在于，該排介質柱均為跑道型介質柱（7），其余介質柱均為圓柱型介質柱（2）。

2.如權利要求1所述的光子晶體定向耦合器，其特征在于：位于該排介質柱一側的介質柱區域為主波導部分（8），位于該排介質柱相對一側的介質柱區域為直角轉彎耦合波導部分（5），主波導部分（8）、直角轉彎耦合波導部分（5）以及它們之間的這排跑道型介質柱（7）構成光子晶體定向耦合器的主體結構。

3.如權利要求2所述的光子晶體定向耦合器，其特征在于：主波導部分（8）為W1型光子晶體直波導。

4.如權利要求2所述的光子晶體定向耦合器，其特征在于：直角轉彎耦合波導部分（5）為W1型直角轉彎波導。

5.如權利要求2所述的光子晶體定向耦合器，其特征在于：圓柱型介質柱（2）高度為h₁、半徑為r，該跑道型介質柱（7）的高度為h₁，該跑道型介質柱（7）的橫截面上垂直于主波導部分（8）走向方向上的拉伸長度為t，該跑道型介質柱（7）的跑道半徑為r₁，其中t大于零，r1大于或小于r。

6.如權利要求1所述的光子晶體定向耦合器，其特征在于：該基板包括二氧化硅埋層（3）以及硅襯底層（4），圓柱型介質柱（2）與跑道型介質柱（7）均設置在該二氧化硅埋層（3）上，二氧化硅埋層（3）位于硅襯底層（4）上。

7.如權利要求1所述的光子晶體定向耦合器，其特征在于：該基板包括頂硅層、二氧化硅埋層和硅襯底層，圓柱型介質柱與跑道型介質柱形成于該頂硅層上而與該頂硅層為一體結構，該頂硅層位于二氧化硅埋層上，二氧化硅埋層位于硅襯底層上。?

8.如權利要求6所述的光子晶體定向耦合器，其特征在于：二氧化硅埋層（3）的厚度為3μm，跑道型介質柱（7）的高度為220nm，硅襯底層（4）的厚度為600μm。

9.如權利要求1所述的光子晶體定向耦合器，其特征在于：耦合波導線缺陷（10）包括水平部分以及與該水平部分垂直的垂直部分，主波導線缺陷（9）呈“一”字形且平行于該水平部分，主波導線缺陷（9）與水平部分之間間隔有一排介質柱，該排介質柱平行于主波導線缺陷（9）以及耦合波導線缺陷（10）的水平部分，該排介質柱的長度與該水平部分的長度相同。

10.如權利要求1所述的光子晶體定向耦合器，其特征在于：該若干介質柱呈陣列式排列。?