[實(shí)用新型]像素結(jié)構(gòu)、陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220708111.4
• 申請(qǐng)日: 2012-12-19
• 公開（公告）號(hào): CN203084392U
• 公開（公告）日: 2013-07-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 薛海林;王磊;李月;曹起;薛艷娜
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1362
• 分類號(hào): G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12
• 代理公司: 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11270
• 代理人: 王黎延;任媛

1.一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該像素結(jié)構(gòu)包括：第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、柵線、數(shù)據(jù)線、公共線、像素電極和公共電極；其中，

所述第一薄膜晶體管的柵極連接?xùn)啪€，漏極連接像素電極，源極連接數(shù)據(jù)線，柵線控制所述第一薄膜晶體管導(dǎo)通后，像素電極在所述第一薄膜晶體管導(dǎo)通時(shí)間內(nèi)充電，所述第一薄膜晶體管截止時(shí)，像素電極上產(chǎn)生第一跳變電壓；

所述第二薄膜晶體管的柵極連接?xùn)啪€，漏極連接公共電極，源極連接公共線，柵線控制所述第二薄膜晶體管導(dǎo)通后，公共電極在所述第二薄膜晶體管導(dǎo)通時(shí)間內(nèi)充電，所述第二薄膜晶體管截止時(shí)，公共電極上產(chǎn)生第二跳變電壓；

所述第二跳變電壓與所述第一跳變電壓的幅值和方向相同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)的像素電極和公共電極同層設(shè)置，像素電極和公共電極分別通過鈍化層上的過孔與第一薄膜晶體管的第一漏極、第二薄膜晶體管的第二漏極連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)的像素電極和公共電極設(shè)置于不同層，所述像素電極直接與第一薄膜晶體管的第一漏極連接，公共電極通過鈍化層上的過孔與第二薄膜晶體管的第二漏極連接。

4.一種陣列基板，其特征在于，該陣列基板包括權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的像素結(jié)構(gòu)。

5.一種顯示裝置，其特征在于，該顯示裝置包括權(quán)利要求4所述的陣列基板。