[實用新型]一種AMOLED像素驅動電路及其電容器結構

有效

• 申請號: 201220706464.0
• 申請日: 2012-12-19
• 公開（公告）號: CN202996248U
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: 周剛;田朝勇;劉宏
• 申請（專利權）人: 四川虹視顯示技術有限公司
• 主分類號: G09G3/32
• 分類號: G09G3/32;H01L23/522
• 代理公司: 成都宏順專利代理事務所(普通合伙) 51227
• 代理人: 周永宏

技術領域

本實用新型涉及AMOLED顯示技術領域，具體涉及一種AMOLED像素驅動電路和所述像素驅動電路的電容器結構。

背景技術

基于P型TFT構成的傳統2T1C像素驅動電路如圖1所示：圖中，M1為開關晶體管，用于控制數據線Vdata輸入；M2為驅動晶體管，用于控制OLED的發光電流；Cs為存儲電容器，用于為驅動晶體管M2的柵極提供偏置及維持電壓。

上述的2T1C像素驅動電路在單幀時間內包括兩個工作時段，如圖2所示：第一時段為數據線Vdata寫入時段t1，在該時段內，行掃描線Vscan為低電平，此時開關晶體管M1導通，數據線Vdata經過開關晶體管M1漏源極之間的通道寫入到存儲電容器Cs上，并同時作用于驅動晶體管M2的柵極，M2導通，驅動發光像素單元OLED發光；第二時段為顯示維持時段t2，在該時段內，行掃描線Vscan為高電平，開關晶體管M1處于截止狀態，其漏源極之間的通道被關斷，數據線Vdata與存儲電容器Cs（驅動晶體管M2的柵極）之間的通道被關斷。此時，在要求不嚴格的情況下可以認為存儲電容器Cs因開關晶體管M1關斷而沒有電荷的泄放通路，只能保持開關晶體管M1截止前的狀態，Cs兩端電壓維持不變，M2導通并維持發光像素單元OLED發光，直到下一幀周期的行掃描線Vscan到來，開關晶體管M1再次被選通。

但在實際工程應用中，因開關晶體管M1本身存在電荷注入效應和漏電流，考慮這種實際情況后Cs兩端的電壓即驅動晶體管M2的柵極電位將在開關晶體管M1關斷后因為M1電荷注入效應和漏電流的影響而隨著時間的推移而變化，加上驅動晶體管M2的IV曲線（電流-電壓關系曲線）以及發光像素單元OLED的IVL曲線（電流-電壓-亮度關系曲線）的非線性特性的影響，相應像素單元的OLED亮度會在上述幀周期內有所變化，進而容易導致顯示圖像畸變。具體表現為，開關晶體管M1關斷后，開關晶體管M1電荷注入效應會導致已寫入的數據信號（存儲電容器Cs兩端的電壓）躍變，如圖3所示，電壓（voltage）在時間（time）0m（S）與20m(S)之間由B點的Y2=2.5431(V)跌落至C點的Y3=2.4079（V），跌落電壓dY2=-135.8mv。這種變化將作用于驅動晶體管M2的柵極并進一步影響發光像素單元OLED的發光電流變化，導致圖像畸變；如圖4所示，電壓（voltage）在時間（time）30u（S）與35u(S)之間由A點的Y1=2.5(V)躍變至B點的Y2=2.5437(V)，躍變電壓dY1=43.7mv；開關晶體管M1的漏電流會導致已寫入的數據信號（存儲電容器Cs兩端的電壓）跌落。所以在像素驅動電路中要求盡可能減小或消除開關晶體管M1的電荷注入效應及漏電流導致的存儲電容器Cs兩端的電壓變化。

傳統的一種做法是增大現有的2T1C像素電路的存儲電容器Cs的電容值。通過增大電容值可以有效降低開關晶體管M1電荷注入效應及漏電流的影響，但是增大電容值需要在OLED像素單元區域增大電容Cs極板面積，從的OLED像素單元結構可以看出存儲電容器Cs與OLED發光區域并列分布于像素區域，增大存儲電容器Cs勢必影響到面板開口率。

實用新型內容

本實用新型的目的是為了減小AMOLED面板因開關晶體管M1的電荷注入效應及漏電流導致的存儲電容器Cs兩端電壓變化所引起的顯示圖像畸變的影響，同時不降低像素開口率，提出了一種AMOLED像素驅動電路及其電容結構。

本實用新型的技術方案是：一種AMOLED像素驅動電路，包括：

開關晶體管M1，包括兩個輸入端和一個輸出端，所述兩個輸入端分別與數據線Vdata和行掃描線Vscan相連接；

驅動晶體管M2，包括兩個輸入端和一個輸出端，所述兩個輸入端分別與電源線正極Vdd和開關晶體管M1的輸出端相連接，所述輸出端與有機發光二極管D1的陽極相連接，所述有機發光二極管D1的陰極與電源線負極Vss相連接；

存儲電容器Cs，包括兩個電極，其中一電極與電源線正極Vdd相連接，另一電極與開關晶體管M1和驅動晶體管M2的公共端相連接；

其特征在于，還包括，

存儲電容器Cs1，包括兩個電極，其中一電極與電源線負極Vss相連接，另一電極與開關晶體管M1、驅動晶體管M2和存儲電容器Cs的公共端相連接。

一種AMOLED像素驅動電路的存儲電容器結構，其特征在于：

包括層疊分布的三個電極板，其中分別位于上層和下層的兩個電極板分別與中間層的電極板形成第一存儲電容器Cs和第二存儲電容器Cs1。