[實用新型]半導體器件

有效

• 申請號: 201220705996.2
• 申請日: 2012-12-19
• 公開（公告）號: CN203260580U
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發明（設計）人: 馬榮耀;李鐵生
• 申請（專利權）人: 成都芯源系統有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 倪斌

1.一種半導體器件，包括：?

襯底；?

晶體管，形成于襯底中，具有漏區、柵區和源區；?

柵極金屬，耦接所述柵區；和?

源極金屬，耦接所述源區，與所述柵極金屬之間具有隔離間隙，?

其特征在于，所述半導體器件還包括：?

靜電放電(ESD)保護模塊，形成于所述襯底的表面上方，位于所述柵極金屬與所述源極金屬之間，包括第一隔離層和覆蓋所述第一隔離層的ESD保護層，其中所述第一隔離層將所述ESD保護層與所述晶體管隔離，ESD保護模塊整體具有靠近所述源極金屬一側的第一部分和靠近所述柵極金屬一側的第二部分以及位于所述第一部分和所述第二部分之間的中間部分，所述ESD保護模塊整體的厚度從所述中間部分分別向所述第一部分和所述第二部分降低，使所述ESD保護模塊整體呈凸字狀。?

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一隔離層具有靠近所述源極金屬一側的第一薄部、靠近所述柵極金屬一側的第二薄部和連接所述第一薄部和第二薄部并位于所述第一薄部和第二薄部之間的中間厚部，所述中間厚部的厚度大于所述第一薄部和第二薄部的厚度，使所述靜電放電保護模塊整體呈凸字狀。?

3.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述ESD保護層包括交替排布的第一導電類型摻雜區和第二導電類型摻雜區，所述第二導電類型與所述第一導電類型相反。?

4.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述ESD保護層包括第一導電類型的中間摻雜區和由該中間摻雜區開始向該中間摻雜區的兩側對稱交替排布的多個第二導電類型摻雜區和第一導電類型摻雜區，其中所述中間摻雜區位于所述中間部分的中部。?

5.如權利要求3或4所述的半導體器件，其特征在于，各第一導電類型摻雜區和第二導電類型摻雜區之間形成的結位于所述中間部?分。?

6.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述ESD保護層進一步包括：?

第一懸浮摻雜區，位于所述第一部分的靠近所述源極金屬一側的邊緣，該第一懸浮摻雜區電懸?。缓?

第二懸浮摻雜區，位于所述第二部分的靠近所述柵極金屬一側的邊緣，該第二懸浮摻雜區電懸浮。?

7.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述源極金屬通過位于所述第一部分上方的第一通孔耦接所述ESD保護層，所述柵極金屬通過位于所述第二部分上方的第二通孔耦接所述ESD保護層。?

8.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述柵極金屬具有焊盤部分和走線部分，所述第一隔離層和所述ESD保護層環繞所述焊盤部分構成閉合環狀。?

9.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：?

所述柵極金屬具有焊盤部分和走線部分；?

所述柵區為槽型柵區，所述槽型柵區穿越所述襯底中位于所述ESD保護模塊下方的區域到達所述焊盤部分下方；以及?

所述半導體器件進一步包括在襯底的位于所述焊盤部分下方的區域中形成的槽型柵連接部，與所述槽型柵區連接，用于將所述槽型柵區耦接至所述焊盤部分。?