[實用新型]薄膜晶體管、陣列基板及顯示器件

有效

• 申請號: 201220697078.X
• 申請日: 2012-12-14
• 公開（公告）號: CN203103309U
• 公開（公告）日: 2013-07-31
• 發明（設計）人: 成軍;袁廣才
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/12
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

一種薄膜晶體管，包括柵極、柵絕緣層、氧化物有源層、源極、漏極，其中，所述氧化物有源層對應所述源極與漏極間隔位置為溝道區，其特征在于，所述源極和所述氧化物有源層之間形成有源過渡層，所述漏極和所述氧化物有源層之間形成有漏過渡層，其中所述源過渡層和所述漏過渡層不相連，所述源過渡層與漏過渡層直接接觸所述氧化物有源層。?

根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源過渡層與源極圖案相同，所述漏過渡層與漏極圖案相同。?

根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源過渡層、漏過渡層相對于源極、漏極的位置向溝道區域相對延伸，且覆蓋部分溝道區。?

根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源過渡層與漏過渡層的厚度為10nm—1000nm。?

根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管的氧化物有源層包括溝道區、源接觸區和漏接觸區，其中溝道區表現為半導體特性，源接觸區和漏接觸區表現為導體特性。?

根據權利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述氧化物有源層溝道區的電阻大于10⁶Ω·cm～10⁹Ω·cm，所述氧化物有源層源接觸區和漏接觸區的電阻小于1*10^?3Ω·cm。?

根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源過渡層、漏過渡層與源極、漏極在同一次構圖工藝中形成。?

根據權利要求1?7任一權項所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極形成在基板上，其上形成有柵絕緣層、氧化物有源層，所述源過渡層、漏過渡層形成于氧化物有源層上，源過渡層與漏過渡層上分別形成有源極、漏極。?

根據權利要求1?7任一權項所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源極、漏極形成在基板上，其上分別形成有源過渡層和漏過渡層，在源過渡?層和漏過渡層上形成有氧化物有源層、柵絕緣層以及柵極。?

根據權利要求1?7任一權項所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述氧化物有源層形成在基板上，其上形成源過渡層及漏過渡層，在源過渡層與漏過渡層上分別形成有源極與漏極、源極漏極之上形成有柵絕緣層以及柵極。?

一種陣列基板，包括形成在基板上的柵線、柵極以及數據線、像素電極、薄膜晶體管、鈍化層以及鈍化層過孔，其特征在于，所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、氧化物有源層、源極、漏極，其中，所述氧化物有源層在所述源極與漏極斷開位置為溝道區，其特征在于所述源極和所述氧化物有源層之間形成有源過渡層，所述漏極和所述氧化物有源層之間形成有漏過渡層，其中所述源過渡層和所述漏過渡層不相連，所述源過渡層與漏過渡層直接接觸所述氧化物有源層。?

根據權利要求11所述的陣列基板，其特征在于，所述源過渡層與源極圖案相同，所述漏過渡層與漏極圖案相同。?

根據權利要求11所述的陣列基板，其特征在于，所述源過渡層、漏過渡層相對于源極、漏極的位置向溝道區域相對延伸，且覆蓋部分溝道區。?

根據權利要求11所述的陣列基板，其特征在于，所述源過渡層與漏過渡層的厚度為10nm—1000nm。?

根據權利要求11所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管的氧化物有源層包括溝道區、源接觸區和漏接觸區，其中溝道區表現為半導體特性，源接觸區和漏接觸區表現為導體特性。?

根據權利要求15所述的陣列基板，其特征在于，所述氧化物有源層溝道區的電阻大于10⁶Ω·cm～10⁹Ω·cm，所述氧化物有源層源源接觸區和漏接觸區的電阻小于1*10^?3Ω·cm。?

根據權利要求11所述的陣列基板，其特征在于，所述源過渡層、漏過渡層與源極、漏極在同一次構圖工藝中形成。?

根據權利要求11?17任一權項所述的陣列基板，其特征在于，所述?柵線和柵極形成在基板上，其上形成有柵絕緣層、氧化物有源層，所述源過渡層、漏過渡層形成于氧化物有源層上，源過渡層與漏過渡層上分別形成有源極、漏極，源極與漏極上形成有鈍化層以及像素電極。?