[實(shí)用新型]一種直流合成場測量儀的校準(zhǔn)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220695464.5
• 申請(qǐng)日: 2012-12-14
• 公開（公告）號(hào): CN202948122U
• 公開（公告）日: 2013-05-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張建功;張業(yè)茂;鄔雄;謝輝春;干喆淵;劉興發(fā);趙軍;張澤平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國電力科學(xué)研究院;國家電網(wǎng)公司
• 主分類號(hào): G01R35/00
• 分類號(hào): G01R35/00
• 代理公司: 武漢開元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 42104
• 代理人: 潘杰;李滿

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及高壓輸變電工程電磁兼容技術(shù)領(lǐng)域，具體地指一種直流合成場測量儀的校準(zhǔn)裝置。

技術(shù)背景

近年來我國直流輸電線路建設(shè)快速發(fā)展，直流輸電線路周圍的電磁環(huán)境問題愈來愈引起人們的關(guān)注。直流合成場是直流輸電線路和變電站的主要電磁環(huán)境參數(shù)，隨著我國對(duì)超高壓輸變電工程環(huán)境影響評(píng)價(jià)工作的開展，對(duì)直流合成場的監(jiān)測已成為一項(xiàng)重要工作，實(shí)現(xiàn)這些測量的手段是靠合成場強(qiáng)測量儀來完成的。直流輸電線路的合成場是導(dǎo)線上電壓產(chǎn)生的靜電場與空間電荷產(chǎn)生的電場的矢量和，而目前國內(nèi)一般用靜電場對(duì)直流合成場測量儀進(jìn)行校準(zhǔn)，與實(shí)際輸電線路直流合成場的特點(diǎn)不符，存在一定的誤差，因此設(shè)計(jì)和研制直流合成場測量儀的校準(zhǔn)裝置十分迫切和必要。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的就是要提供一種直流合成場測量儀的校準(zhǔn)裝置，使用該裝置能消除直流合成場測量儀的測量誤差。

為實(shí)現(xiàn)此目的，本實(shí)用新型所設(shè)計(jì)的直流合成場測量儀的校準(zhǔn)裝置，它包括由下至上依次布置的直流場接地極、直流場高壓極、控制極和離子流極、設(shè)置在直流場接地極中部的校準(zhǔn)孔、設(shè)置在校準(zhǔn)孔下方的支持平臺(tái)，其中，所述直流場接地極和直流場高壓極之間設(shè)有第一絕緣支柱，直流場高壓極和控制極之間設(shè)有第二絕緣支柱，控制極和離子流極之間設(shè)有第三絕緣支柱，所述直流場接地極上還設(shè)有多個(gè)與直流場接地極絕緣的離子流接受板。

所述直流場接地極和直流場高壓極之間形成校準(zhǔn)區(qū)，直流場高壓極和控制極之間形成注入?yún)^(qū)，控制極和離子流極之間形成電荷產(chǎn)生區(qū)。

所述直流場接地極和直流場高壓極之間的間距為15cm～30cm，直流場高壓極和控制極之間的距離為10cm～20cm，控制極和離子流極之間的距離為10cm～20cm。

所述直流場接地極為導(dǎo)電金屬板，所述直流場高壓極和控制極均為導(dǎo)電金屬網(wǎng)，離子流極為導(dǎo)電金屬絲。

所述校準(zhǔn)孔有兩個(gè)，一個(gè)為正方形校準(zhǔn)孔，另一個(gè)為圓形校準(zhǔn)孔。

所述離子流接受板為銅板，所述離子流接受板嵌入直流場接地極，使得離子流接受板與直流場接地極位于同一平面。

所述離子流接受板通過環(huán)氧樹脂板與直流場接地極絕緣連接。

所述離子流接受板到直流場接地極邊緣的間距大于直流場接地極與直流場高壓極之間的間距。

所述離子流接受板與直流場接地極之間連接有電流表。

所述支持平臺(tái)為絕緣支持平臺(tái)。

本實(shí)用新型在直流場接地極與高壓極間施加直流電源時(shí)產(chǎn)生的電場即為靜電場，控制極與離子流極相當(dāng)于電暈籠，當(dāng)二者電位差達(dá)到離子流極起暈時(shí)，離子流極產(chǎn)生的空間電荷在電場的作用下穿過控制極和直流場高壓極達(dá)到校準(zhǔn)區(qū)，在直流場接地極上表面就可得到由靜電場和空間電荷場疊加而成的直流合成場，該直流合成場可用于合成場測量儀的校準(zhǔn)。通過校準(zhǔn)后能消除直流合成場測量儀的測量誤差。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的使用狀態(tài)結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型中直流場接地極的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本實(shí)用新型中離子流極的結(jié)構(gòu)示意圖；

其中，1—直流場接地極、2—直流場高壓極、3—控制極、4—離子流極、5—校準(zhǔn)孔、6—第一絕緣支柱、7—第二絕緣支柱、8—第三絕緣支柱、9—離子流接受板、10—環(huán)氧樹脂板、11—電流表、12—合成場測量儀、13—支持平臺(tái)、14—鎳?yán)咏z。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說明：

圖中1和2所示的直流合成場測量儀的校準(zhǔn)裝置，它包括由下至上依次布置的直流場接地極1、直流場高壓極2、控制極3和離子流極4、設(shè)置在直流場接地極1中部的校準(zhǔn)孔5、設(shè)置在校準(zhǔn)孔5下方的支持平臺(tái)13，其中，直流場接地極1和直流場高壓極2之間設(shè)有第一絕緣支柱6，直流場高壓極2和控制極3之間設(shè)有第二絕緣支柱7，控制極3和離子流極4之間設(shè)有第三絕緣支柱8，直流場接地極1上還設(shè)有多個(gè)與直流場接地極1絕緣的離子流接受板9。上述第一絕緣支柱6、第二絕緣支柱7和第三絕緣支柱8均為絕緣有機(jī)玻璃棒。

上述技術(shù)方案中，直流場接地極1和直流場高壓極2之間形成校準(zhǔn)區(qū)，直流場高壓極2和控制極3之間形成注入?yún)^(qū)，控制極3和離子流極4之間形成電荷產(chǎn)生區(qū)。

上述技術(shù)方案中，直流場接地極1和直流場高壓極2之間的間距為15cm～30cm，直流場高壓極2和控制極3之間的距離為10cm～20cm，控制極3和離子流極4之間的距離為10cm～20cm。