[實(shí)用新型]高壓功率開關(guān)保護(hù)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220694639.0
• 申請(qǐng)日: 2012-12-15
• 公開（公告）號(hào): CN202998031U
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張亮;王文兵;季正峰;李軍;劇東梅;于宏偉;王燕玲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 合肥同智機(jī)電控制技術(shù)股份有限公司
• 主分類號(hào): H03K17/08
• 分類號(hào): H03K17/08
• 代理公司: 合肥誠興知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34109
• 代理人: 湯茂盛

1.一種高壓功率開關(guān)保護(hù)裝置，高壓電源正極VDD依次連接高壓功率開關(guān)（10）、負(fù)載（20）后接高壓電源的地，負(fù)載（20）兩端并聯(lián)有續(xù)流反向二極管D5，高壓功率開關(guān)（10）的三級(jí)接有保護(hù)裝置（30），其特征在于：所述保護(hù)裝置（30）由監(jiān)測(cè)及控制電路（31）、復(fù)位電路（32）構(gòu)成，所述監(jiān)測(cè)及控制電路（31）有一個(gè)輸入端V0與控制信號(hào)（40）相連，監(jiān)測(cè)及控制電路（31）有四個(gè)輸出端，其中三個(gè)輸出端V1、V2、V3與高壓功率開關(guān)（10）的三級(jí)相連，另一個(gè)輸出端V4連接復(fù)位電路（32）的輸入端V5，復(fù)位電路（32）輸出端V6輸出信號(hào)至監(jiān)測(cè)及控制電路（31）的輸入端V0。

2.如權(quán)利要求1所述的高壓功率開關(guān)保護(hù)裝置，其特征在于：所述監(jiān)測(cè)及控制電路（31）包括高壓驅(qū)動(dòng)芯片N1，所述高壓驅(qū)動(dòng)芯片N1的引腳1、4、5、8接地，引腳9、12、16接參考地GND1，引腳14通過電容C2接參考地GND1，引腳2、13接+5V電壓；高壓驅(qū)動(dòng)芯片N1的引腳2、5之間依次連接有電阻R1和電容C1，所述電阻R1、電容C1之間引出一條支路與高壓驅(qū)動(dòng)芯片N1的引腳3相連，并作為監(jiān)測(cè)及控制電路（31）的輸出端V4與復(fù)位電路（32）輸入端V5相連；高壓驅(qū)動(dòng)芯片N1的引腳6、7相連并作為監(jiān)測(cè)及控制電路（32）的輸入端V0與控制信號(hào)（40）相連；高壓驅(qū)動(dòng)芯片N1的引腳9、11之間依次連接有穩(wěn)壓二極管D3和電阻R3，所述穩(wěn)壓二極管D3的正極接高壓驅(qū)動(dòng)芯片N1的引腳9并作為監(jiān)測(cè)及控制電路（31）的一個(gè)輸出端V3與高壓功率開關(guān)（10）相連，所述電阻R3和穩(wěn)壓二極管D3之間引出一條支路作為監(jiān)測(cè)及控制電路（31）的一個(gè)輸出端V2與高壓功率開關(guān)（10）相連；高壓驅(qū)動(dòng)芯片N1的引腳14經(jīng)過電阻R2連接二極管D1的正極，二極管D1的負(fù)極與穩(wěn)壓二極管D2的正極相連，穩(wěn)壓二極管D2的負(fù)極作為監(jiān)測(cè)及控制電路（31）的一個(gè)輸出端V1與高壓功率開關(guān)（10）相連。

3.如權(quán)利要求1所述的高壓功率開關(guān)保護(hù)裝置，其特征在于：所述復(fù)位電路（32）包括復(fù)位芯片N2，所述復(fù)位芯片N2的引腳1作為復(fù)位電路（32）的輸入端V5與監(jiān)測(cè)及控制電路（31）相連，引腳2接+5V電壓，引腳3接地，引腳2、3之間連接有電容C3；三極管Q1的基極通過電阻R4、二極管D4接+5V電壓，所述二極管D4的負(fù)極與+5V電壓相連，所述電阻R4、二極管D4間引出一條支路與復(fù)位芯片N2的引腳8相連；所述三極管Q1的基極和發(fā)射極之間連接有電阻R5，三極管Q1的發(fā)射極接地，集電極作為復(fù)位電路（32）的輸出端V6與監(jiān)測(cè)及控制電路（31）的輸入端V0相連。

4.如權(quán)利要求1或2所述的高壓功率開關(guān)保護(hù)裝置，其特征在于：所述高壓功率開關(guān)（10）為高壓功率MOSFET管，所述高壓功率MOSFET管的漏極與高壓電源正極VDD、監(jiān)測(cè)及控制電路（31）中穩(wěn)壓二極管D2的負(fù)極相連，高壓功率MOSFET管的源極與負(fù)載（20）、監(jiān)測(cè)及控制電路（31）中穩(wěn)壓二極管D3的正極相連，高壓功率MOSFET管的柵極與監(jiān)測(cè)及控制電路（31）中穩(wěn)壓二極管D3的負(fù)極相連。

5.如權(quán)利要求1或2所述的高壓功率開關(guān)保護(hù)裝置，其特征在于：所述高壓功率開關(guān)（10）為高壓IGBT模塊，所述高壓IGBT模塊的集電極與高壓電源正極VDD、監(jiān)測(cè)及控制電路（31）中穩(wěn)壓二極管D2的負(fù)極相連，高壓IGBT模塊的發(fā)射極與負(fù)載、監(jiān)測(cè)及控制電路（31）中穩(wěn)壓二極管D3的正極相連，高壓IGBT模塊的柵極與監(jiān)測(cè)及控制電路（31）中穩(wěn)壓二極管D3的負(fù)極相連。

6.如權(quán)利要求1或3所述的高壓功率開關(guān)保護(hù)裝置，其特征在于：所述復(fù)位電路（32）中復(fù)位芯片N2的引腳7作為另一個(gè)輸出端V7連接MCU或指示燈（50）。