[實用新型]發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220694163.0
• 申請日: 2012-12-14
• 公開（公告）號: CN203250779U
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王冬雷;丁欣
• 申請（專利權(quán)）人: 蕪湖德豪潤達光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/64;H01L25/075
• 代理公司: 廣東秉德律師事務(wù)所 44291
• 代理人: 楊煥軍

1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括透明基板、LED芯片及導(dǎo)線支架；所述導(dǎo)線支架安設(shè)于所述透明基板上，所述LED芯片固定在所述透明基板上，所述LED芯片的電極與所述導(dǎo)線支架連接；所述透明基板為透明玻璃或透明藍寶石基板或透明陶瓷或有機透明塑料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述透明基板的透光率大于90％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述透明基板的單面、雙面或立體面均勻鍍制透明高導(dǎo)熱薄膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述透明高導(dǎo)熱薄膜的厚度介于2至5μm之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述透明高導(dǎo)熱薄膜的厚度為2μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述透明高導(dǎo)熱薄膜的透光率大于90％、導(dǎo)熱系數(shù)大于等于400w/m·k。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述透明高導(dǎo)熱薄膜采用鉆石薄膜或類鉆石薄膜或類鉆碳薄膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)線支架包括負極支架和正極支架，負極支架包括一負主導(dǎo)線及多個與負主導(dǎo)線連接的負支導(dǎo)線，正極支架包括一正主導(dǎo)線及多個與正主導(dǎo)線連接的正支導(dǎo)線；LED芯片的負電極、正電極分別對應(yīng)連接負極支架的負支導(dǎo)線、正極支架的正支導(dǎo)線。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8任意一項所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一固定在透明基板上的透明封裝膠層，導(dǎo)線支架設(shè)有對外連接的外負極連接點和外正極連接點；透明封裝膠層覆蓋了LED芯片和導(dǎo)線支架，并露出導(dǎo)線支架的外負極連接點和外正極連接點。