[實用新型]一種陣列基板和顯示裝置

有效

• 申請號: 201220690419.0
• 申請日: 2012-12-13
• 公開（公告）號: CN202940240U
• 公開（公告）日: 2013-05-15
• 發明（設計）人: 高山
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

技術領域

本實用新型涉及液晶顯示技術領域，特別涉及一種陣列基板和顯示裝置。

背景技術

氧化物TFT具有電子遷移率高，特性均勻性好，工藝相對簡單，可大面積化等優點，被視為下一代TFT顯示技術。目前的氧化物TFT制備普遍采用的是6張掩模板（Mask）的工藝，圖1a~f為現有氧化物TFT的制備工藝流程圖，其制備流程大致為：使用柵掩模板（Gate?Mask）在襯底110上形成柵極120；在柵極120上形成柵絕緣層130，使用IGZO（銦鎵鋅氧化物，一種有源層層材料）Mask在柵絕緣層130上形成有源層140；使用刻蝕阻擋層（Etch?stopper?layer，ESL）Mask在有源層140上形成刻蝕阻擋層150；使用源漏（SD）Mask在刻蝕阻擋層150上形成源漏電極160；使用刻蝕阻擋層（PVX）Mask在源漏電極160上形成絕緣層170；使用ITO（銦錫氧化物，一種像素電極層材料）Mask在絕緣層170上形成像素電極180。

上述制備流程中，總共需要6張mask，由于Mask數目較多，生產成本較高。另外，像素電極與源極只有一處相連，一方面，接觸電阻會比較大，另一方面，一旦絕緣層過孔刻蝕出現問題，就會導致屏幕點不亮，增加產品不良的概率。

實用新型內容

（一）要解決的技術問題

本實用新型要解決的技術問題是：如何提供一種陣列基板和顯示裝置，以提高了產品的良率。

（二）技術方案

為解決上述技術問題，本實用新型提供一種陣列基板，包括：薄膜晶體管TFT和像素區域，所述薄膜晶體管包括有源層、設置在有源層上的刻蝕阻擋層、設置在所述刻蝕阻擋層上且與有源層接觸的源漏電極和設置在所述源漏電極上的第一絕緣層，所述像素區域包括像素電極，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括三個露出源極或漏極的過孔，第一過孔和第二過孔的投影與所述有源層兩側未被刻蝕阻擋層覆蓋的區域重合，所述第三過孔的投影與所述漏極的第一區域重合，所述第一區域的漏極下方未設置有源層，所述像素電極通過第二過孔和第三過孔與所述漏極相連接。

其中，所述薄膜晶體管為底柵型薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的柵極上覆蓋有柵絕緣層，所述柵絕緣層上與所述第三過孔對應的位置形成有第四過孔。

其中，所述像素電極設置于所述第一絕緣層上。

其中，所述薄膜晶體管為頂柵型薄膜晶體管，所述三個過孔貫穿所述第一絕緣層。

本實用新型還提供一種顯示裝置，其包括所述的陣列基板。

（三）有益效果

本實用新型所述陣列基板和顯示裝置，采用一次構圖工藝形成有源層和刻蝕阻擋層的初步圖案，再采用一次構圖工藝形成刻蝕阻擋層的最終圖案，其中，形成刻蝕阻擋層的構圖工藝與后=形成三個過孔的構圖工藝采用相同圖案的掩模板。整個工藝流程只使用5張掩膜板，減少了掩膜板使用數量，降低了生產成本。并且，所述陣列基板中，像素電極與漏極通過兩個過孔進行連接，可以有效增加像素電極與漏極的接觸面積，減小接觸電阻，同時，有利于克服由于絕緣層過孔刻蝕出現問題，導致屏幕點不亮的問題，提高了產品的良率。

附圖說明

圖1a~f為現有氧化物TFT的制備工藝流程圖；

圖2是本實用新型實施例1所述陣列基板的結構示意圖；

圖3是本實用新型實施例1所述陣列基板的制備方法流程圖；

圖4a~g是本實用新型實施例1所述陣列基板的制備工藝流程圖;

圖5是本實用新型實施例2所述陣列基板的結構示意圖；

圖6a~h是本實用新型實施例2所述陣列基板的制備工藝流程圖;。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例，對本實用新型的具體實施方式作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本實用新型，但不用來限制本實用新型的范圍。

實施例1