[實用新型]用于藍寶石晶體生長的單晶爐熱場結構

有效

• 申請號: 201220688752.8
• 申請日: 2012-12-13
• 公開（公告）號: CN203007477U
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 賈寶申;張向鋒;溫寶山
• 申請（專利權）人: 無錫鼎晶光電科技有限公司
• 主分類號: C30B17/00
• 分類號: C30B17/00;C30B29/20
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所 32104
• 代理人: 曹祖良

1.一種用于藍寶石晶體生長的單晶爐熱場結構，包括不銹鋼桶（8），在不銹鋼桶（8）內側設置外保溫層（7），在外保溫層（7）內側設置內保溫桶（6），在內保溫桶（6）的內腔中設置鳥籠式發熱體（1），在鳥籠式發熱體（1）的下方設置下隔熱屏（5），在鳥籠式發熱體（1）的內腔中設置坩堝（10），該坩堝（10）由底部的坩堝支撐結構支撐；在所述坩堝（10）上端設置坩堝蓋（2），在坩堝蓋（2）上放置上隔熱屏（3）；其特征是：所述內保溫桶（6）由上部的鉬段、中部的鎢段和下部的鉬段連接而成。

2.如權利要求1所述的用于藍寶石晶體生長的單晶爐熱場結構，其特征是：所述內保溫桶（6）的厚度為1~2mm。

3.如權利要求1所述的用于藍寶石晶體生長的單晶爐熱場結構，其特征是：所述坩堝支撐結構包括坩堝托盤（4）和鎢管（11），坩堝托盤（4）置于鎢管（11）之上，坩堝托盤（4）與坩堝（10）的底部接觸，在坩堝托盤（4）與坩堝（10）的接觸部分設置氧化鋯涂層（12）。

4.如權利要求3所述的用于藍寶石晶體生長的單晶爐熱場結構，其特征是：所述鎢管（11）的內徑為50mm，外徑為80mm。

5.如權利要求1所述的用于藍寶石晶體生長的單晶爐熱場結構，其特征是：在所述不銹鋼桶（8）和外保溫層（7）之間填充填料（9）。

6.如權利要求5所述的用于藍寶石晶體生長的單晶爐熱場結構，其特征是：所述填料（9）為氧化鋯。

7.如權利要求1所述的用于藍寶石晶體生長的單晶爐熱場結構，其特征是：所述外保溫桶（7）為多層結構，每層的厚度為0.5mm，每層之間的距離為5mm。

8.如權利要求1所述的用于藍寶石晶體生長的單晶爐熱場結構，其特征是：所述坩堝蓋（2）由多層厚度為1mm的鎢片組成。

9.如權利要求1所述的用于藍寶石晶體生長的單晶爐熱場結構，其特征是：所述上隔熱屏（3）由5~8片厚度為1mm的鉬片組成，所述下隔熱屏（5）由8~10片厚度為1mm的鎢片組成。

10.如權利要求1所述的用于藍寶石晶體生長的單晶爐熱場結構，其特征是：所述上部的鉬段和下部的鉬段由鉬材料制成，中部的鎢段由鎢材料制成。