[實用新型]陣列基板及顯示裝置有效
| 申請號: | 201220686871.X | 申請日: | 2012-12-12 |
| 公開(公告)號: | CN202957246U | 公開(公告)日: | 2013-05-29 |
| 發明(設計)人: | 宋泳錫;劉圣烈;崔承鎮;金熙哲 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 王瑩 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 顯示裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及顯示技術領域,特別涉及一種陣列基板及顯示裝置。
背景技術
有機發光二極管(Organic?Light-Emitting?Diodes,OLED)以其制備工藝簡單、成本低、發光顏色可在可見光區內任意調節以及易于大面積和柔性彎曲等優點,被認為是未來最重要的顯示技術之一。尤其是白光OLED(WOLED)的功率效率已經超過了60lm/W,壽命達到了2萬個小時以上,極大地推動了WOLED的發展。
如圖1所示,為現有的OLED陣列基板的結構,具體示出了一個像素單元的示意圖,由下至上包括:形成在基板1上的第一柵極2、第二柵極2'及柵線(圖中未示出),形成在第一柵極2、第二柵極2'及柵線之上的柵絕緣層3,形成在柵絕緣層3上的第一有源層4和第二有源層4',形成在第一有源層4和第二有源層4'之上的絕緣間隔層5,形成在絕緣間隔層5上的第一源漏層6(包括第一源極和第一漏極)和第二源漏層6'(包括第二源極和第二漏極),形成在第一源漏層6和第二源漏層6'之上的鈍化層7。其中,第一柵極2、柵絕緣層3、第一有源層4、絕緣間隔層5及第一源漏層6形成開關薄膜晶體管(通常為氧化物薄膜晶體管),第二柵極2'、柵絕緣層3、第二有源層4'、絕緣間隔層5及第二源漏層6'形成驅動薄膜晶體管(通常為氧化物薄膜晶體管)。開關薄膜晶體管和驅動薄膜晶體管位于像素單元的非像素區域B,即薄膜晶體管結構對應的區域。第一源漏層6和第二源漏層6'之上依次為鈍化層7、彩膜9、黑矩陣15、樹脂層10,有機發光二極管的第一電極11、像素定義層12、有機發光層13及有機發光二極管的第一電極14。其中,第一電極11為透明電極,有機發光層發出的光通過第一電極以及其下方的各層后出射。有機發光二極管位于陣列基板的像素單元的像素區域A(除薄膜晶體管結構區域以外的顯示區域)。
黑矩陣15具體位于薄膜晶體管結構對應區域,即區域B,且形成在彩膜9上的背離薄膜晶體管結構一側的表面,其作用是阻擋有機發光二極管發出的光線對氧化物薄膜晶體管的特性的影響,使顯示效果更好。如圖2所示(RGB彩膜各色光的波長及混合后的光c?light的波長與透過率關系圖),研究發現對于WOLED發出的光線中主要是波長較短的光,(如:藍光,尤其是在400nm以下的藍光)對氧化物薄膜晶體管的特性的影響,會產生光照漏電流,導致顯示效果不好。因此只需要避免波長較短的藍光對氧化物薄膜晶體管的影響即可。
實用新型內容
(一)要解決的技術問題
本實用新型要解決的技術問題是:如何避免波長較短的藍光對氧化物薄膜晶體管的特性的影響。
(二)技術方案
為解決上述技術問題,本實用新型提供了一種陣列基板,包括多個位于基板上的像素單元,所述像素單元包括:形成在基板上的薄膜晶體管結構、由所述薄膜晶體管結構驅動的有機發光二極管及位于所述薄膜晶體管結構和所述有機發光二極管之間的彩膜,所述有機發光二極管位于像素單元的像素區域,所述像素單元還包括:位于所述薄膜晶體管結構對應區域,且形成在所述薄膜晶體管結構上方的用于阻擋藍色光線的遮光層。
其中,所述遮光層為紅色濾光片。
其中,所述紅色濾光片的厚度為
其中,所述遮光層為綠色濾光片。
其中,所述綠色濾光片的厚度為
其中,所述遮光層為紅綠濾光片疊層形成。
其中,所述紅綠濾光片疊層的厚度為
其中,所述薄膜晶體管結構包括:形成在基板上的第一柵極、第二柵極,形成在所述第一柵極和第二柵極之上的柵絕緣層,形成在所述柵絕緣層之上的第一有源層和第二有源層,形成在第一有源層之上的第一源極和第一漏極,形成在第二有源層之上的第二源極和第二漏極,所述第一漏極連接所述第二柵極,所述第一柵極、柵絕緣層、第一有源層、第一源極及第一漏極形成開關薄膜晶體管,所述第二柵極、柵絕緣層、第二有源層、第二源極及第二漏極形成驅動薄膜晶體管;
所述有機發光二極管位于所述像素單元的像素區域,包括透明的第一電極、發光層、第二電極,所述第一電極連接所述第二漏極。
本實用新型還提供了一種顯示裝置,包括上述任一項所述的陣列基板。
(三)有益效果
本實用新型通過彩膜上且位于薄膜晶體管結構對應區域形成用于阻擋藍光的遮光層,阻擋了藍光照射到氧化物薄膜晶體管上,避免波長較短的光對氧化物薄膜晶體管的特性的影響而導致的顯示效果不好的缺陷。
附圖說明
圖1是現有的一種陣列基板結構示意圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





