[實用新型]陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201220686349.1
• 申請日: 2012-12-12
• 公開（公告）號: CN202930387U
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 宋泳錫;劉圣烈;崔承鎮;金熙哲
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

1.一種陣列基板，包括多個位于基板上的像素單元，所述像素單元包括：

形成在基板上的薄膜晶體管結構；

以及由所述薄膜晶體管結構驅動的有機發光二極管，所述有機發光二極管位于所述像素單元的像素區域，所述有機發光二極管在遠離基板的方向上依次包括透明的第一電極、發光層、反射光線的第二電極；

半反半透層，位于所述有機發光二極管與所述薄膜晶體管結構之間；

彩膜，位于所述有機發光二極管的第二電極與所述半反半透層之間，且彩膜的不同顏色濾光片的厚度不同；

所述有機發光二極管的第二電極與所述半反半透層形成微腔結構。

2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管結構包括：形成在基板上的第一柵極、第二柵極，形成在所述第一柵極和第二柵極之上的柵絕緣層，形成在所述柵絕緣層之上的第一有源層和第二有源層，形成在第一有源層之上的第一源極和第一漏極，形成在第二有源層之上的第二源極和第二漏極，所述第一漏極連接所述第二柵極，所述第一柵極、柵絕緣層、第一有源層、第一源極及第一漏極形成開關薄膜晶體管，所述第二柵極、柵絕緣層、第二有源層、第二源極及第二漏極形成驅動薄膜晶體管；

所述驅動薄膜晶體管的第二漏極與所述有機發光二極管的第一電極電連接。

3.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管結構之上還形成有鈍化層；所述有機發光二極管形成在所述鈍化層的上方，所述有機發光二極管的第二電極為陰極，第一電極為陽極，且所述陽極通過所述鈍化層的過孔連接第二漏極，所述半反半透層形成在所述薄膜晶體管結構和鈍化層之間，且位于所述像素單元的像素區域及所述薄膜晶體管結構的源漏區域，所述彩膜形成在所述鈍化層之上，且位于所述像素單元的像素區域，所述發光二極管的陽極位于所述彩膜上方。

4.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管結構之上還形成有鈍化層；所述有機發光二極管形成在所述鈍化層的上方，所述有機發光二極管的第一電極為陰極，第二電極為陽極，且所述陰極通過所述鈍化層的過孔連接第二漏極，所述半反半透層形成在所述薄膜晶體管結構和鈍化層之間，且位于所述像素單元的像素區域及所述薄膜晶體管結構的源漏區域，所述彩膜形成在所述鈍化層之上，且位于所述像素單元的像素區域，所述發光二極管的陰極位于所述彩膜上方。

5.如權利要求3或4所述的陣列基板，其特征在于，所述彩膜和所述第一電極之間還設有樹脂層，所述第一電極通過貫穿樹脂層及鈍化層的過孔連接所述第二漏極。

6.如權利要求3和4所述的陣列基板，其特征在于，對應像素單元的薄膜晶體管結構的源漏區域的半反半透層，分別位于所述第一源極、第一漏極、第二源極和第二漏極的下方，且所述半反半透層的圖形與所述第一源極、第一漏極、第二源極和第二漏極的圖形一致。

7.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，在所述像素單元的所述薄膜晶體管結構對應區域，且位于所述第一電極之上還形成有像素定義層。

8.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述半反半透層由銀、鋁、鉬、銅、鈦、鉻中的任意一種金屬或它們中任意兩種或以上的合金構成，且透過率為5%~95%。

9.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述半反半透層厚度為：

10.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述彩膜的厚度為：

11.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述彩膜包括：紅綠藍、紅綠藍黃或紅綠藍白模式的彩膜。

12.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1~11中任一項所述的陣列基板。