[實用新型]生長在LiGaO2襯底上的非極性藍光LED外延片有效
| 申請號： | 201220684170.2 | 申請日： | 2012-12-11 |
| 公開（公告）號： | CN203085627U | 公開（公告）日： | 2013-07-24 |
| 發明（設計）人： | 李國強;楊慧 | 申請（專利權）人： | 華南理工大學 |
| 主分類號： | H01L33/12 | 分類號： | H01L33/12;H01L33/06 |
| 代理公司： | 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245 | 代理人： | 蔡茂略 |
| 地址： | 510641 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 生長 ligao sub 襯底 極性 led 外延 | ||
【權利要求書】：
1.生長在LiGaO2襯底上的非極性藍光LED外延片，其特征在于，包括由下至上依次排列的LiGaO2襯底、非極性m面GaN緩沖層、非極性m面GaN外延層、非極性非摻雜u-GaN層、非極性n型摻雜GaN薄膜、非極性InGaN/GaN量子阱層、非極性p型摻雜GaN薄膜。
2.根據權利要求1所述的生長在LiGaO2襯底上的非極性藍光LED外延片，其特征在于，所述LiGaO2襯底的晶體取向為(100)晶面偏向(110)方向0.2~0.5°。
3.根據權利要求1所述的生長在LiGaO2襯底上的非極性藍光LED外延片，其特征在于，所述非極性m面GaN緩沖層的厚度為30~60nm；所述非極性m面GaN外延層的厚度為150~250nm；非極性非摻雜GaN層的厚度為300~500nm；所述非極性n型摻雜GaN層的厚度為3~5μm；所述非極性InGaN/GaN量子阱層為5~10個周期的InGaN阱層/GaN壘層，其中InGaN阱層的厚度為2~3nm；GaN壘層的厚度為10~13nm；所述非極性p型摻雜GaN薄膜的厚度為350~500nm，所述非極性n型摻雜GaN薄膜的電子濃度為1.0×1017~5.0×1019cm-3；所述非極性p型摻雜GaN薄膜的空穴濃度為1.0×1016~2.0×1018cm-3。
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